[发明专利]制造集成电路装置的方法和集成电路装置

权利要求书

1.一种制造集成电路装置的方法，所述方法包括：

在基底的有源区上形成SiOCN材料层，形成SiOCN材料层包括使用具有Si原子与C原子之间的键的前驱体；

蚀刻有源区的一部分，以在有源区中形成凹部；

在氢气氛下以700℃至800℃焙烧凹部的表面，并在执行焙烧的同时将SiOCN材料层暴露于焙烧的气氛；以及

从在氢气氛下焙烧的凹部的表面生长半导体层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在形成SiOCN材料层的步骤中，SiOCN材料层的C含量为14原子％至30原子％。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，在450℃至800℃的温度下执行形成SiOCN材料层。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，形成SiOCN材料层包括执行原子层沉积工艺，所述原子层沉积工艺包括重复单个沉积循环多次，单个沉积循环包括顺序地执行下述步骤：

将前驱体供应到基底上的第一操作，

将氧源供应到基底上的第二操作，以及

将氮源供应到基底上的第三操作。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，前驱体包括不具有Si-Si键的化合物。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，前驱体包括包含Si原子与C原子之间的单键的化合物、包含Si原子与C原子之间的双键的化合物或者包含Si原子与C原子之间的三键的化合物。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，前驱体包括具有Si原子与C原子之间的多种键的化合物。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，前驱体包括由以下的式1和式2中的一个表示的化合物：

<式1>

<式2>

其中，R¹至R⁹均独立地为H原子、Cl原子、C1-C3烷基或氰基，X为C1-C3烷基、C2-C3烯基、C2-C3炔基或羰基。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，前驱体包括至少一个Si原子和至少一个C原子一起作为环的一部分的环状化合物。

10.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括在焙烧凹部的表面之后从凹部的表面去除原生氧化物层，

其中，在去除原生氧化物层之后，立即与从凹部的表面去除原生氧化物层原位执行从凹部的表面生长半导体层。

11.一种制造集成电路装置的方法，所述方法包括：

蚀刻基底的一部分以形成鳍型有源区；

形成覆盖基底上的鳍型有源区的SiOCN材料层，形成SiOCN材料层包括使用具有Si原子与C原子之间的键而不具有Si-Si键的前驱体；

在蚀刻SiOCN材料层的同时蚀刻鳍型有源区的一部分，以在鳍型有源区中形成凹部，同时从鳍型有源区上的SiOCN材料层形成栅极绝缘分隔件；

在氢气氛下以700℃至800℃焙烧凹部的表面，并在执行焙烧的同时将栅极绝缘分隔件暴露于焙烧的气氛；以及

从在氢气氛下焙烧的凹部的表面生长半导体层。

12.根据权利要求11所述的方法，所述方法还包括在生长半导体层之后，在鳍型有源区上形成栅极线，使得栅极线具有面对栅极绝缘分隔件的侧壁，

其中，在形成SiOCN材料层的步骤中，SiOCN材料层的C含量为14原子％至30原子％。

13.根据权利要求11所述的方法，所述方法还包括：

形成鳍式绝缘分隔件，所述鳍式绝缘分隔件覆盖鳍型有源区的形成有凹部的一部分的两个侧壁，使得在鳍型有源区中形成凹部期间通过SiOCN材料层来形成鳍式绝缘分隔件；以及

在执行焙烧的同时将鳍式绝缘分隔件暴露于焙烧的气氛。