[发明专利]制造集成电路装置的方法和集成电路装置

说明书

一种制造集成电路装置的方法和一种根据该方法制造的集成电路装置，所述方法包括：在基底的有源区上形成氧碳氮化硅(SiOCN)材料层，形成SiOCN材料层包括使用具有硅(Si)原子与碳(C)原子之间的键的前驱体；蚀刻有源区的一部分，以在有源区中形成凹部；在氢(H₂)气氛下以大约700℃至大约800℃焙烧凹部的表面，并在执行焙烧的同时将SiOCN材料层暴露于焙烧的气氛；以及从在氢气氛下焙烧的凹部的表面生长半导体层。

于2017年3月29日在韩国知识产权局提交的标题为“Method of ManufacturingIntegrated Circuit Device(制造集成电路装置的方法)”的第10-2017-0039952号韩国专利申请通过引用全部包含于此。

技术领域

实施例涉及一种制造集成电路装置的方法。

背景技术

由于电子技术的发展，半导体器件的小型化已经迅速发展，即使半导体器件的面积由于半导体器件的小型化而减小，具有相对低的介电常数的低介电层也可以用作绝缘层，该绝缘层用于确保相邻导电区域之间的绝缘。

发明内容

可以通过提供一种制造集成电路装置的方法来实现实施例，所述方法包括：在基底的有源区上形成氧碳氮化硅(SiOCN)材料层，形成SiOCN材料层包括使用具有硅(Si)原子与碳(C)原子之间的键的前驱体；蚀刻有源区的一部分，以在有源区中形成凹部；在氢(H₂)气氛下以大约700℃至大约800℃焙烧凹部的表面，并在执行焙烧的同时将SiOCN材料层暴露于焙烧的气氛；以及从在氢气氛下焙烧的凹部的表面生长半导体层。

可以通过提供一种制造集成电路装置的方法来实现实施例，所述方法包括：蚀刻基底的一部分以形成鳍型有源区；形成覆盖基底上的鳍型有源区的氧碳氮化硅(SiOCN)材料层，形成SiOCN材料层包括使用具有硅(Si)原子与碳(C)原子之间的键而不具有Si-Si键的前驱体；在蚀刻SiOCN材料层的同时蚀刻鳍型有源区的一部分，以在鳍型有源区中形成凹部，同时从鳍型有源区上的SiOCN材料层形成栅极绝缘分隔件；在氢(H₂)气氛下以大约700℃至大约800℃焙烧凹部的表面，并在执行焙烧的同时将栅极绝缘分隔件暴露于焙烧的气氛；以及从在氢气氛下焙烧的凹部的表面生长半导体层。

可以通过提供一种制造集成电路装置的方法来实现实施例，所述方法包括：准备具有有源区的基底；在基底的有源区上形成氧碳氮化硅(SiOCN)材料层，使得使用具有其硅(Si)原子与碳(C)原子之间的直接键的前驱体来形成SiOCN材料层；蚀刻有源区的一部分以在有源区中形成凹部；在氢(H₂)气氛下以大约700℃至大约800℃焙烧凹部的表面，使得在执行焙烧的同时将SiOCN材料层暴露于焙烧的气氛；以及从凹部的焙烧表面生长半导体层。

可以通过提供一种集成电路装置来实现实施例，所述集成电路装置根据上述方法制造。

附图说明

通过参照附图对示例性实施例进行详细描述，特征对本领域技术人员而言将是明显的，在附图中：

图1示出了根据示例实施例制造的集成电路装置的主要组件的平面布局图；

图2A示出了图1的一部分中的主要组件的透视图，图2B示出了沿图1的线B-B'截取的剖视图，图2C示出了沿图1的线C-C'截取的剖视图，图2D示出了沿图1的线D-D'截取的剖视图；

图3A至图3J示出了根据示例实施例的制造集成电路装置的方法中的台阶的剖视图；

图4示出了根据制造集成电路装置的方法的形成氧碳氮化硅(SiOCN)材料层的方法的流程图；

图5示出了根据制造集成电路装置的方法的用来形成SiOCN材料层的设备的主要组件的概念性视图；以及