[发明专利]一种气体分流合流装置

说明书

本发明涉及半导体薄膜沉积设备技术领域，具体地说是一种可通入多种工艺气体的气体分流合流装置，包括合流阀、分流阀及清洗阀，所述的合流阀上设有多个进气口与一个出气口，所述的一个进气口连接一清洗阀，其余进气口分别对应连接一分流阀。所述合流阀、分流阀及清洗阀内均设有多条彼此独立的进气、出气管道。本发明的优势在于。本装置集分流阀，合流阀及清洗阀为一体，同时实现了工艺气体的分流，阀与阀之间用直接焊接取代VCR以获得最短连接距离降低了阀体内最短的气体停滞时间与滞留空间，同时在本装置上设有加热基板，可以有效的防止液态源气体在阀体及管路内凝结。

技术领域

本发明涉及半导体薄膜沉积设备技术领域，具体地说是一种可通入多种工艺气体的气体分流合流装置。

背景技术

在半导体镀膜工艺过程中，会对多种通入腔体的特殊气体进行分流、合流、混流及泄流工艺，在不同工艺阶段为避免多种气体在阀体内相遇发生反应产生Particle(杂质颗粒)，需对阀体进行多次吹扫及抽气清理工艺。现有单一V-block阀功能相对简单，阀体内部气路复杂，在对阀体进行吹扫及抽气时容易在阀体内部形成死角，使气体在阀体内部残留，因此需要设计新型气体分流合流装置满足使用要求。

发明内容

为解决现有技术中所存在的问题，本发明提供了一种气体分流合流装置，应用在半导体镀膜沉积设备中，包括合流阀、分流阀及清洗阀，所述的合流阀上设有多个进气口与一个出气口，所述的一个进气口连接一清洗阀，其余进气口分别对应连接一分流阀。

进一步地，所述合流阀、分流阀及清洗阀内均设有多条彼此独立的进气、出气管道。

进一步地，所述的合流阀上设有三个进气口与一个出气口，同时对应设有两个分流阀与一个清洗阀，三个进气口中一个进气口与一个清洗阀连接，另外两个进气口分别连接一个分流阀。

进一步地，所述的合流阀上设有进气口A、进气口B、进气口C与一个出气口A，合流阀内部设有两个相同的隔膜阀，所述的第一隔膜阀包括一槽A、进气管A、进气管B及一出气管A，所述的进气管A与进气管B一端均连通固定在槽A底部，进气管A另一端与一进气口A连接，进气管B的另一端与进气口B连接，出气管A一端连通固定在槽A底部，另一端与出气口A连接；同样另外第二隔膜阀与第一隔膜阀结构相同，同样包括一槽D,槽D的底部连通设有进气管C、进气管D及出气管B,进气管C与进气口C连通，进气管D与进气口B连通，出气管B与出气口A连通；

所述的分流阀设置为2个，分别包括一个进气口D、出气口B、出气口C及一组隔膜阀，所述的分流阀的第一隔膜阀内设有槽B、进气管E与出气管C，所述的进气管E一端与槽B内连通，另一端与进气口D连通，出气管C一端与槽内连通固定，另一端与出气口B连通；所述的第二隔膜阀内同样设有槽C、进气管F与出气管D，所述的第二隔膜阀内的进气管F一端与槽C内连通另一端与进气口D连通，出气管D一端与槽C连通固定，另一端与出气口C连通；

所述的分流阀，上设有一出气管E，出气管E与合流阀的进气口B连通固定；所述的分流阀的出气管E与合流阀的进气口A连通；所述的合流阀的进气口C连通固定一分流阀。

进一步地，所述的合流阀上的两个隔膜阀相对设置，每个隔膜阀与中间对称轴呈45度角。

进一步地，在将清洗阀的出气管D与合流阀的进气口B进行固定的时候，将清洗阀的进气管D通过法兰形式连接固定在合流阀的进气口B处，合流阀体底部进气口开燕尾槽，使用o-ring密封，通过螺栓连接将进气法兰与合流阀连接。

进一步地，将进气管B、进气管D与出气管E三者连通一体化设计。

进一步地，使用时所述的气流分流合流装置可设置为多组，组与组之间上下设置，中间夹设有加热基板，所述的加热基板分为三层，中间为加热板，上下两层为固定板。

进一步地，所述的出气管A与出气管B在出气口A处合并成一条管道通道。