[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于：包括基板(1)、缓冲层(2)、半导体层(3)、栅极绝缘层(4)、栅极(5)、层间绝缘层(6)、源极(7)、漏极(8)、平坦层(9)、公共电极(10)、钝化层(11)、像素电极(12)；其中，

缓冲层(2)形成于基板(1)上；半导体层(3)形成于缓冲层(2)上；所述半导体层(3)包括有源区域(31)和设于有源区域(31)两侧的源极区域(32)、漏极区域(33)，所述栅极绝缘层(4)和栅极(5)依次形成于有源区域(31)上；所述层间绝缘层(6)形成于未被半导体层(3)遮挡的缓冲层(2)、源极区域(32)以及漏极区域(33)上；所述层间绝缘层(6)上对应源极区域(32)、漏极区域(33)处形成有第一过孔(61)；所述源极(7)和漏极(8)分别经第一过孔(61)与源极区域(32)、漏极区域(33)接触；所述平坦层(9)形成于源极(7)、漏极(8)以及未被源极(7)、漏极(9)遮挡的层间绝缘层(6)上；所述公共电极(10)形成于平坦层(9)上，钝化层(11)形成于公共电极(10)以及未被公共电极(10)遮挡的平坦层(9)上，所述钝化层(11)以及平坦层(9)上对应漏极(8)上形成有第二过孔(111)、第三过孔(91)；所述像素电极(12)形成于钝化层(11)上并经第二过孔(111)、第三过孔(91)与漏极(8)接触。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于：所述半导体层(3)由铟镓锌氧化物制成。

3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于：所述钝化层(11)由氧化钇制成。

4.一种显示面板，其特征在于：包括如权利要求1-3任意一项所述的阵列基板。

5.一种阵列基板的制作方法，其特征在于：包括如下步骤：

提供一基板(1)；

在基板(1)上形成缓冲层(2)；

在缓冲层(2)上形成半导体层(3)；

在半导体层(3)的有源区域(31)上依次形成栅极绝缘层(4)以及栅极(5)；

在未被半导体层(3)遮挡的缓冲层(2)上、半导体层(3)的源极区域(32)、漏极区域(33)以及栅极(5)上形成层间绝缘层(6)；

在层间绝缘层(6)上对应源极区域(32)、漏极区域(33)上分别形成第一过孔(61)；

在层间绝缘层(6)上分别形成源极(7)、漏极(8)，所述源极(7)、漏极(8)分别经第一过孔(61)与源极区域(32)和漏极区域(33)接触；

在未被源极(7)和漏极(8)遮挡的层间绝缘层(6)上、源极(7)以及漏极(8)上形成有平坦层(9)；

在平坦层(9)上形成公共电极(10)；

在公共电极(10)上以及未被公共电极(10)遮挡的平坦层(9)上形成钝化层(11)；

在钝化层(11)以及平坦层(9)上对应漏极(8)处分别形成第二过孔(111)、第三过孔(91)；

在钝化层(11)上形成像素电极(12)，所述像素电极(12)经第二过孔(111)、第三过孔(91)与漏极接触。

6.根据权利要求5所述的阵列基板的制作方法，其特征在于：所述在缓冲层(2)上形成半导体层(3)具体为在缓冲层(2)上沉积非晶铟镓锌氧化物薄膜并对非晶铟镓锌氧化物薄膜进行图案化得到半导体层(3)。

7.根据权利要求5或6所述的阵列基板的制作方法，其特征在于：所述钝化层(11)的材料选自氧化钇。

8.根据权利要求6所述的阵列基板的制作方法，其特征在于：所述层间绝缘层(6)的材料选自氧化硅、氮化硅中的至少一种。

9.根据权利要求8所述的阵列基板的制作方法，其特征在于：所述层间绝缘层(6)的材料选自氧化硅时，在栅极绝缘层(4)上形成栅极(5)后还对半导体层(3)的源极区域(32)和漏极区域(33)进行等离子处理。

10.根据权利要求9所述的阵列基板的制作方法，其特征在于：所述等离子处理采用H₂等离子体或Ar等离子体。