[发明专利]一种透明导电膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201711122850.9 申请日: 2017-11-14
公开(公告)号: CN109785998B 公开(公告)日: 2021-07-30
发明(设计)人: 张克然 申请(专利权)人: 宁波安特弗新材料科技有限公司
主分类号: H01B5/14 分类号: H01B5/14;H01B1/02;H01B1/08;C23C14/08;C23C14/35;H01B13/00
代理公司: 北京德和衡律师事务所 11405 代理人: 陈浩
地址: 315100 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 透明 导电 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种透明导电膜,其特征在于,所述透明导电膜依次由基材层、掺锡氧化铟层和纳米银线层组成,所述基材层的材料选用PEN-PET-PEN三层共挤基材,厚度为75-80μm;ITO层的厚度为10-15nm;纳米银线层的厚度为100-120nm,纳米银线的长度为5-100μm,直径≤20nm,长径比为500-800:1;所述纳米银线层先配置成纳米银线涂布液,所述纳米银线涂布液包括:40-42%的丙烯酸树脂或聚氨酯树脂、5-6%的纳米银线、25-30%辅助剂、22-30%的丙醇,所述百分比为重量百分比。

2.根据权利要求1所述的透明导电膜,其特征在于,所述掺锡氧化铟层沉积在基材层的上表面,所述纳米银线层涂布在掺锡氧化铟层的上表面。

3.一种制备权利要求1所述的透明导电膜的方法,其特征在于,所述制备方法包括下述步骤:

(1)制备基材层;

(2)在基材层的上表面采用真空磁控溅射的方法镀ITO层;

(3)配制分散均匀的纳米银线涂布液;

(4)在ITO层的上表面涂布纳米银线涂布液;

(5)进行烘干和干燥,得到透明导电膜。

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