[发明专利]一种透明导电膜及其制备方法

说明书

本发明涉及一种光学用薄膜，尤其涉及一种光学用透明导电膜及其制备方法。为了提高透明导电膜的导电性和柔性，本发明提供一种透明导电膜及其制备方法。本发明提供的透明导电膜依次包括基材层、ITO层和纳米银线层，所述ITO层沉积在透明基材层的上表面，纳米银线层涂布在ITO层的上表面。本发明提供的透明导电膜具有较好的透光率、较低的雾度以及良好的导电性，具有较低的生产成本。

技术领域

本发明涉及一种光学用薄膜，尤其涉及一种光学用透明导电膜及其制备方法。

背景技术

目前许多的电子设备广泛使用触摸式的屏幕，透明导电膜在触摸式电子设备中必不可少。目前的主导材料为ITO透明导电膜，而ITO材料具有材料日益稀缺、生产工艺复杂，成本较高，且薄膜较脆，不宜用于柔性显示设备等方面。由于ITO透明导电膜在应用过程中受到多方面的限制，因而市场上开始出现各种ITO的替代性材料，包括纳米银线、纳米碳管、石墨烯及导电高分子等。然而纳米碳管及石墨烯技术尚未成熟，缺乏有效的组装技术；单独的纳米银线薄膜光透过率较差、没有经过刻蚀，无法进行较为精密的组装。

发明内容

为了提高透明导电膜的导电性和柔性，本发明提供一种透明导电膜及其制备方法。本发明提供的透明导电膜包括基材层、ITO层和纳米银线层，所述ITO层沉积在透明基材层的上表面，纳米银线层涂布在ITO层的上表面。本发明提供的透明导电膜具有较好的透光率、较低的雾度以及良好的导电性，具有较低的生产成本。

为了解决上述技术问题，本发明提供下述技术方案：

本发明提供一种透明导电膜，所述透明导电膜依次包括基材层、掺锡氧化铟层(ITO层)和纳米银线层。

进一步的，所述掺锡氧化铟层沉积在基材层的上表面，所述纳米银线层涂布在掺锡氧化铟层的上表面。

进一步的，所述基材层的厚度为25-100μm，掺锡氧化铟层的厚度为10-30nm，纳米银线层的厚度为50-300nm。

进一步的，在所述的透明导电膜中，所述基材层的厚度为75-100μm，ITO层的厚度为10-20nm，纳米银线层的厚度为100-200nm。

进一步的，所述基材层的厚度最优选为75-80μm。

进一步的，所述ITO层的厚度最优选为10-15nm。

进一步的，所述纳米银线层的厚度最优选为100-120nm。

进一步的，所述基材层的材料选自聚碳酸酯(PC)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或聚甲基丙烯酸甲脂(PMMA)中的一种或至少两种的组合。

进一步的，所述ITO层通过物理气相沉积(PVD)的方式沉积在基材层的上表面。

进一步的，所述PVD的方式为真空磁控溅射，所述真空磁控溅射的靶材为ITO。

进一步的，其特征在于，所述纳米银线层包括树脂和纳米银线。

进一步的，在所述纳米银线层中，树脂为亲水性透明树脂。

进一步的，所述纳米银线的直径≤20nm，所述纳米银线的长度为5-200μm。

进一步的，所述纳米银线的长径比为500-1200：1。

进一步的，所述纳米银线的长度优选为5-100μm，长径比优选为500-1000：1。

进一步的，长径比优选为500-800：1。

进一步的，所述树脂选自丙烯酸树脂、聚硅脂树脂或聚氨酯树脂中的一种或至少两种的组合。