[发明专利]一种存储器件中形成控制栅的工艺流程方法

权利要求书

1.一种存储器件中形成控制栅的工艺流程方法，其特征在于，提供一晶圆，所述晶圆包括形成半导体器件的衬底，所述衬底划分为第一器件区域和第二器件区域，所述第一器件区域和所述第二器件区域的表面为一多晶硅层包括以下步骤：

步骤S1、于所述多晶硅层表面涂覆一硬掩膜层；

步骤S2、去除所述第一器件区域表面的所述硬掩膜层，暴露所述多晶硅层；

步骤S3、于所述多晶硅层和所述硬掩膜层表面形成一第一掩膜层，图案化所述第一掩膜层，于所述第一器件区域预定位置形成工艺窗口；

步骤S4、通过所述第一掩膜层对所述第一器件区域进行刻蚀，停留于所述衬底表面，形成第一器件区域控制栅极；

步骤S5、去除所述第一掩膜层，于所述硬掩膜层及所述第一器件区域表面形成一第二掩膜层，图案化所述第二掩膜层，于所述第二器件区域预定位置形成工艺窗口；

步骤S6、通过所述第二掩膜层对所述第二器件区域进行刻蚀，停留于所述衬底表面，形成所述第二器件区域的栅极；随后，去除所述第二掩膜层。

2.根据权利要求1中的方法，其特征在于，所述存储器件为P型沟道闪存存储器。

3.根据权利要求1中的方法，其特征在于，所述第一器件区域为存储区。

4.根据权利要求1中的方法，其特征在于，所述第二器件区域为逻辑区域。

5.根据权利要求1中的方法，其特征在于，所述步骤S2中去除所述硬掩膜层的方法包括以下步骤：

步骤S21、于所述硬掩膜层表面形成一第三掩膜层；

步骤S22、图案化所述第三掩膜层，于所述第一器件区域形成工艺窗口；

步骤S23、通过所述第三掩膜层对所述第一器件区域进行刻蚀，贯通所述硬掩膜层，暴露所述多晶硅层；

步骤S24、去除所述第三掩膜层。

6.根据权利要求5中所述的方法，其特征在于，所述步骤S22中，图案化所述第三掩膜层时使用的光罩为所述第一器件区域离子注入时使用的光罩。

7.根据权利要求1中的方法，其特征在于，形成所述第二掩膜层的方法为依次覆盖无定型碳、无氮介质抗反射涂层和光刻胶。

8.根据权利要求1中的方法，其特征在于，所述步骤S4中所述刻蚀方法为反应离子刻蚀。

9.根据权利要求1中的方法，其特征在于，所述步骤S6中所述刻蚀方法为反应离子刻蚀。