[发明专利]用于高速双极工艺的深槽与PN结混合隔离结构的制造方法

权利要求书

1.一种用于高速双极工艺的深槽与PN结混合隔离结构的制造方法，其特征在于，包括：

在基底硅片上设置掩膜；

在所述掩膜上设置贯穿掩膜的蚀刻窗口，并通过对蚀刻窗口对其下层的基底硅片进行蚀刻，形成深槽；

注入与体硅掺杂类型相反的杂质形成槽底隔离PN结；

剥离所述掩膜，并在体硅表面以及深槽内部制备ONO复合薄膜；

淀积多晶硅将所述深槽填满；

去除所述深槽外ONO薄膜顶层的氧化硅，利用剩余的氮化硅-氧化硅结构形成有源区；

所述通过对蚀刻窗口对其下层的基底硅片进行蚀刻，形成深槽包括：

通过蚀刻窗口对其下层的基底硅片进行蚀刻，形成截面为倒梯形结构的浅槽；

沿所述浅槽的底面垂直向下继续蚀刻，形成深槽。

2.根据权利要求1所述的用于高速双极工艺的深槽与PN结混合隔离结构的制造方法，其特征在于，淀积多晶硅将所述深槽填满后，对深槽顶部的多晶硅进行回刻，去除深槽外部多余的多晶硅。

3.根据权利要求1所述的用于高速双极工艺的深槽与PN结混合隔离结构的制造方法，其特征在于，所述掩膜为氧化硅掩膜层，通过光刻工艺，利用光刻胶在所述氧化硅掩膜层上形成光刻胶窗口，并通过所述光刻胶窗口对氧化硅掩膜层进行蚀刻，获取所述蚀刻窗口。

4.根据权利要求1所述的用于高速双极工艺的深槽与PN结混合隔离结构的制造方法，其特征在于，所述ONO复合薄膜包括底层氧化层、中层氮化硅层和顶层氧化硅层，所述底层氧化硅层的厚度为800埃～1200埃，中层氮化硅层的厚度为200埃～400埃，顶层氧化硅层的厚度为800埃～1200埃。

5.根据权利要求4所述的用于高速双极工艺的深槽与PN结混合隔离结构的制造方法，其特征在于，所述利用剩余的氮化硅-氧化硅结构形成有源区包括：对中层氮化硅层进行局部去除，并进行氧化处理，形成LOCOS区域。

6.根据权利要求1所述的用于高速双极工艺的深槽与PN结混合隔离结构的制造方法，其特征在于：所述蚀刻窗口为环形闭合结构。

7.根据权利要求1所述的用于高速双极工艺的深槽与PN结混合隔离结构的制造方法，其特征在于，所述淀积多晶硅的厚度大于5000埃。

8.一种用于高速双极工艺的深槽与PN结混合隔离结构，其特征在于：所述结构通过权利要求1-7任一所述方法制备而成。