[发明专利]堆叠状的肖特基二极管

权利要求书

1.一种堆叠状的肖特基二极管(10)，其具有：

具有上侧(32)和下侧(34)的堆叠(30)，其中，所述堆叠(30)包括至少三个半导体层(20，22，24)，

与所述堆叠(30)的下侧(34)材料锁合地连接的第一连接接通层(40)，以及

与所述堆叠(30)的上侧连接的第二连接接通层(50)，其中，所述第二连接接通层(50)包括金属或金属化合物或者由金属或金属化合物构成，并且形成肖特基接通部，

其中，所述第二连接接通层(50)布置在所述上侧(32)的部分区域中并且所述第二连接接通层(50)被棱边限界，

在所述堆叠的下侧处布置有构造为n⁺层的第一半导体层(20)，并且所述第一半导体层(20)具有至少10¹⁹N/cm³的掺杂剂浓度以及50微米至400微米之间的层厚度，并且所述第一半导体层(20)包括GaAs化合物或由GaAs化合物构成；

在所述第一半导体层(20)上布置有构造为n^-层的第二半导体层(22)，并且所述第二半导体层(22)具有10¹²至10¹⁶N/cm³之间的掺杂剂浓度以及10微米至300微米之间的层厚度，并且所述第二半导体层(22)包括GaAs化合物或由GaAs化合物构成；

其特征在于，

在所述第二半导体层(22)上布置有构造为p^-层的第三半导体层(24)，并且所述第三半导体层(24)具有10¹²至10¹⁶N/cm³之间的掺杂剂浓度以及10纳米至10微米之间的层厚度，并且所述第三半导体层(24)包括GaAs化合物或由GaAs化合物构成；

所述堆叠(30)单片地构造或者所述堆叠(30)在第二半导体层(22)与第三半导体层(24)之间具有半导体接合，

所述堆叠(30)具有多个分别互相间隔开的p⁺区域(60，62；60.1-60.7)，并且所述p⁺区域(60，62；60.1-60.7)构造为与所述堆叠(30)的上侧(32)平行延伸的肋；

所述p⁺区域(60，62；60.1-60.7)具有5*10¹⁸至5*10²⁰N/cm³的掺杂剂浓度，并且

所述p⁺区域(60，62；60.1-60.7)从所述堆叠(30)的上侧(32)延伸到所述第二半导体层(22)中；

所述第二连接接通层(50)的两个平行于p⁺区域延伸的棱边在p⁺区域(60，62；60.1-60.7)内延伸。

2.根据权利要求1所述的肖特基二极管(10)，其特征在于，所述三个半导体层(20，22，24)互相材料锁合地连接。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的肖特基二极管(10)，其特征在于，在所述第三半导体层(24)上布置有构造为n^-层的第四半导体层(26)，并且所述第四半导体层(26)具有10¹²至10¹⁶N/cm³之间的掺杂剂浓度以及0.005微米至10微米之间的层厚度，并且所述第四半导体层(26)包括GaAs化合物或由GaAs化合物构成，并且所述第四半导体层(26)构造在所述堆叠(30)的上侧(32)处，并且所述p⁺区域(60，62；60.1-60.7)延伸穿过所述第四半导体层(26)。

4.根据权利要求1或权利要求2所述的肖特基二极管(10)，其特征在于，所述p⁺区域(60，62；60.1-60.7)借助于掩膜和离子注入产生。

5.根据权利要求1或权利要求2所述的肖特基二极管(10)，其特征在于，p⁺区域(60，62；60.1-60.7)彼此具有3微米至30微米之间的范围内的间距。