[发明专利]一种改善的套刻精度量测方法有效
| 申请号： | 201711125009.5 | 申请日： | 2017-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN107797393B | 公开（公告）日： | 2020-04-24 |
| 发明（设计）人： | 朱晓斌;孙飞磊;吴鹏 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F9/00 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 精度 方法 | ||
1.一种改善的套刻精度量测方法，应用于优化套刻精度的测量，其特征在于，包括一包含当层图形的内框和一包含前层图形的外框，具体步骤如下：
步骤S1、对所述内框内的所述当层图形添加套刻精度偏差；
步骤S2、对所述内框中的第一边框距离所述外框的距离及所述内框中的与所述第一边框平行的第二边框距离所述外框的距离进行量测；
步骤S3、通过对所述量测得到的值进行处理，排除机台误差，得到正确的套刻精度数据。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S1之后所述内框中的第一边框距离所述外框的距离为：
OVL+X＝TIS*(OVL+X)；
式中，OVL+X为所述内框中的第一边框距离所述外框的距离，TIS为机台误差，OVL为所需测算的套刻精度，X为添加的套刻精度偏差。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述步骤S1之后所述内框中的与所述第一边框平行的第二边框距离所述外框的距离为：
OVL-X＝TIS*(OVL-X)；
式中，OVL-X为所述内框中的与所述第一边框平行的第二边框距离所述外框的距离，TIS为机台误差，OVL为所需测算的套刻精度，X为添加的套刻精度偏差。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述步骤S1中同时对所述当层图形的各部分添加所述套刻精度偏差。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S2中测量所使用的技术为基于成像和图像识别的套刻测量技术。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S3中消除机台误差的计算方法为：
OVL+X＝TIS*(OVL+X)；
OVL-X＝TIS*(OVL-X)；
OVL＝X*(OVL+X+OVL-X)/(OVL+X-OVL-X)；
式中，OVL+X为所述内框中的第一边框距离所述外框的距离，OVL-X为所述内框中的与所述第一边框平行的第二边框距离所述外框的距离，TIS为机台误差，OVL为所需测量的套刻精度，X为添加的套刻精度偏差。
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