[发明专利]一种改善的套刻精度量测方法

说明书

本发明提供了一种改善的套刻精度量测方法，应用于优化套刻精度的测量，其中，包括一包含当层图形的内框和一包含前层图形的外框，具体步骤如下：对所述内框内的所述当层图形添加套刻精度偏差；对所述内框中的第一边框距离所述外框的最短距离及所述内框中的与所述第一边框平行的第二边框距离所述外框的最短距离进行量测；通过对所述量测得到的值进行处理，排除机台误差，得到正确的套刻精度数据。有益效果：本专利通过改善现有的套刻精度量测图形，从当层图形与前层图形没有套刻精度偏差，改为人为添加套刻精度的偏差，一次量测后通过计算方法消除机台误差的影响，解决IBO方法量测套刻精度时产生机台误差的问题。

技术领域

本发明涉及集成电路制造应用技术领域，尤其涉及一种改善的套刻精度量测方法。

背景技术

套刻精度(overlay，OVL)是指在光刻制造工艺中当层图形和前层图形的叠对位置精度。由于集成电路芯片的制造是通过多层电路层叠加而成，如果当层和前层没有对准的话，芯片将无法正常工作。因此保证当层和前层的套刻精度是极为重要的一件事情。

现有技术一般使用基于成像和图像识别的套刻测量技术(image base overlay，IBO)量测套刻精度。这种方法会因为光学偏差、量测算法等问题导致产生如图1所示的机台误差(Tool-Induced Shift，TIS)，造成图形1的偏移。为消除机台误差影响，量测时会在0度量测后，将硅片旋转180度再进行一次量测，但这样导致的重复对准与量测动作，会造成容易出现量测问题并影响产能。

发明内容

针对上述问题，本发明提供了一种改善的套刻精度量测方法，应用于优化套刻精度的测量，其中，包括一包含当层图形的内框和一包含前层图形的外框，具体步骤如下：

步骤S1、对所述内框内的所述当层图形添加套刻精度偏差；

步骤S2、对所述内框中的第一边框距离所述外框的距离及所述内框中的与所述第一边框平行的第二边框距离所述外框的距离进行量测；

步骤S3、通过对所述量测得到的值进行处理，排除机台误差，得到正确的套刻精度数据。

其中，所述步骤S1之后所述内框中的第一边框距离所述外框的距离为：

OVL_+X＝TIS*(OVL+X)；

式中，OVL_+X为所述内框中的第一边框距离所述外框的距离，TIS为机台误差，OVL为所需测算的套刻精度，X为添加的套刻精度偏差。

其中，所述步骤S1之后所述内框中的与所述第一边框平行的第二边框距离所述外框的距离为：

OVL_-X＝TIS*(OVL-X)；

式中，OVL_-X为所述内框中的与所述第一边框平行的第二边框距离所述外框的距离，TIS为机台误差，OVL为所需测算的套刻精度，X为添加的套刻精度偏差。

其中，所述步骤S1中同时对所述当层图形的各部分添加所述套刻精度偏差。

其中，所述步骤S2中测量所使用的技术为基于成像和图像识别的套刻测量技术。

其中，所述步骤S3中消除机台误差的计算方法为：

OVL_+X＝TIS*(OVL+X)；

OVL_-X＝TIS*(OVL-X)；

OVL＝X*(OVL_+X+OVL_-X)/(OVL_+X-OVL_-X)；