[发明专利]像素结构及OLED面板在审
申请号: | 201711129495.8 | 申请日: | 2017-11-15 |
公开(公告)号: | CN107946343A | 公开(公告)日: | 2018-04-20 |
发明(设计)人: | 梁舰;丁磊 | 申请(专利权)人: | 江苏集萃有机光电技术研究所有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙)11371 | 代理人: | 唐维虎 |
地址: | 215000 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 结构 oled 面板 | ||
1.一种像素结构,其特征在于,所述像素结构包括至少两层叠置的结构,每层结构包括一个或两个子像素结构;
每个子像素结构包括发光单元及位于发光单元的出光面及与出光面相对一侧的第一电极和第二电极;
相邻两层子像素结构之间设置有绝缘层。
2.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,每个子像素结构的第二电极分别与薄膜晶体管连接,以接收通过所述薄膜晶体管传输的驱动信号,控制对应的发光单元发光。
3.如权利要求2所述的像素结构,其特征在于,与对应叠置在相邻两层结构中的子像素结构的第二电极连接的薄膜晶体管设置于像素结构同一侧,相邻两个所述薄膜晶体管之间设置有屏蔽层。
4.如权利要求2所述的像素结构,其特征在于,每层结构中设置一个子像素结构,与相邻两层子像素结构的第二电极连接的两个不同薄膜晶体管设置于像素结构相对两侧。
5.如权利要求1-4任意一项所述的像素结构,其特征在于,所述像素结构包括三层结构,每层结构中包括一个子像素结构;或者;
所述像素结构包括三层结构,第一层结构和第二层结构分别包括一个子像素结构,第三层结构包括两个子像素结构;或者,
所述像素结构包括两层结构,第一层结构和第二层结构分别包括两个子像素结构;或者,
所述像素结构包括两层结构,第一层结构包括一个子像素结构,第二层结构包括两个子像素结构;或者,
所述像素结构包括四层结构,每层结构中包括一个子像素结构。
6.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述绝缘层、第一电极和第二电极为透明材质。
7.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,距离出光面最远的电极为具有反射功能的电极,所述距离出光面最远的电极是第一电极或第二电极;或者,
所述像素结构还包括反射层,所述反射层设置在远离出光面的一侧。
8.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述像素结构的发光单元包括蓝色发光单元和红色发光单元;所述蓝色发光单元对应的子像素结构设置在靠近出光面的一层结构中;所述红色发光单元对应的子像素结构设置距离出光面最远的一层结构中。
9.一种OLED面板,其特征在于,所述OLED面板包括多个上述权利要求1-8任意一项所述的像素结构阵列,该OLED面板的所有像素结构的每一层结构中的第一电极形成一个整体,形成多层第一电极层。
10.如权利要求9所述的OLED面板,其特征在于,所述OLED面板还包括导电结构,所述导电结构将多层第一电极层电性连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的