[发明专利]像素结构及OLED面板在审
申请号: | 201711129495.8 | 申请日: | 2017-11-15 |
公开(公告)号: | CN107946343A | 公开(公告)日: | 2018-04-20 |
发明(设计)人: | 梁舰;丁磊 | 申请(专利权)人: | 江苏集萃有机光电技术研究所有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙)11371 | 代理人: | 唐维虎 |
地址: | 215000 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 结构 oled 面板 | ||
技术领域
本发明涉及微电子及光电半导体领域,具体而言,涉及一种像素结构及OLED面板。
背景技术
现有OLED技术中,像素结构排布方式一般印制在同一平面内的进行排列的方式,但是排布方式对OLED高分辨率显示,特别是在微显示技术中表现出分辨率的不足,或在光学系统下出现子像素分离的现象,且改善空间不大。因此OLED的像素结构还需要进一步改进。
发明内容
有鉴于此,本发明实施例的目的在于提供一种像素结构及OLED面板。
本发明实施例提供的一种像素结构,所述像素结构包括至少两层叠置的结构,每层结构包括一个或两个子像素结构;
每个子像素结构包括发光单元及位于发光单元的出光面及与出光面相对一侧的第一电极和第二电极;
相邻两层子像素结构之间设置有绝缘层。
优选地,每个子像素结构的第二电极分别与薄膜晶体管连接,以接收通过所述薄膜晶体管传输的驱动信号,控制对应的发光单元发光。
优选地,与对应叠置在相邻两层结构中的子像素结构的第二电极连接的薄膜晶体管设置于像素结构同一侧,相邻两个所述薄膜晶体管之间设置有屏蔽层。
在薄膜晶体管之间设置屏蔽层可以有效防止相邻两个薄膜晶体管之间相互影响,
优选地,每层结构中设置一个子像素结构,与相邻两层子像素结构的第二电极连接的两个不同薄膜晶体管设置于像素结构相对两侧。
将两个薄膜晶体管设置在像素结构相对的两侧可以有效地防止两个薄膜晶体管之间相互影响。
优选地,所述像素结构包括三层结构,每层结构中包括一个子像素结构;或者;
所述像素结构包括三层结构,第一层结构和第二层结构分别包括一个子像素结构,第三层结构包括两个子像素结构;或者,
所述像素结构包括两层结构,第一层结构和第二层结构分别包括两个子像素结构;或者,
所述像素结构包括两层结构,第一层结构包括一个子像素结构,第二层结构包括两个子像素结构;或者,
所述像素结构包括四层结构,每层结构中包括一个子像素结构。
上述的五种结构,每种像素结构的发光单元形成完全叠置或部分叠置,使像素结构的分辨率更高,像素结构的尺寸也相对现有的像素结构更小。
优选地,所述绝缘层、第一电极和第二电极为透明材质。
通过将所述绝缘层、第一电极和第二电极为透明材质可以防止绝缘层、第一电极和第二电极挡住其它层的光线。
优选地,距离出光面最远的电极为具有反射功能的电极,所述距离出光面最远的电极是第一电极或第二电极;或者,
所述像素结构还包括反射层,所述反射层设置在远离出光面的一侧。
通过反射层的作用可以减少光遗漏,使像素单元的显示效果更好。
优选地,所述像素结构的发光单元包括蓝色发光单元和红色发光单元;所述蓝色发光单元对应的子像素结构设置在靠近出光面的一层结构中;所述红色发光单元对应的子像素结构设置距离出光面最远的一层结构中。
由于蓝光是三原色波长最短的光,红光的波长是三原色波长最长的光,因此将蓝光对应的发光单元设置在距离出光面最近的位置,红光对应的发光单元设置在距离出光面最远的位置,由于不同发光材料能隙的差异,可以减少发光单元之间的光吸收,提高像素单元的显示效果。
本发明实施例还提供一种OLED面板,所述OLED面板包括多个上述的像素结构阵列,该OLED面板的所有像素结构的每一层结构中的第一电极形成一个整体,形成多层第一电极层。
优选地,所述OLED面板还包括导电结构,所述导电结构将多层第一电极层电性连接。
将多层第一电极层电性连接,可以使用多层第一电极层统一接地,可以使用OLED面板的制作工艺更加简单。
与现有技术相比,本发明实施例提供的像素结构及OLED面板,通过将所述像素结构设置成多层结构,可以使像素结构的尺寸更小,分辨率也更高。
为使本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂,下文特举较佳实施例,并配合所附附图,作详细说明如下。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,应当理解,以下附图仅示出了本发明的某些实施例,因此不应被看作是对范围的限定,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本发明第一实施例提供的像素结构的示意图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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