[发明专利]图像传感器的芯片级封装方法有效
申请号: | 201711130424.X | 申请日: | 2017-11-15 |
公开(公告)号: | CN109786400B | 公开(公告)日: | 2021-10-29 |
发明(设计)人: | 赵立新;许勇 | 申请(专利权)人: | 格科微电子(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201203 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 芯片级 封装 方法 | ||
本发明提出一种图像传感器的芯片级封装方法,先将图像传感器芯片级封装件粘合至封装基板的中央区域,使所述图像传感器芯片的光学中心与封装基板的中心重合,再将镜头组件装配至封装基板的上方,镜头组件以封装基板为基准进行光轴对准,避免镜头组件偏心和倾斜,降低装配难度,提高成像质量。
技术领域
本发明涉及一种图像传感器的芯片级封装方法。
背景技术
现有的图像传感器封装方法主要为CSP(Chip Scale Package芯片级封装)、COB(Chip On Board板上芯片封装)和 Flip Chip(倒装芯片封装),其中,芯片级封装方法通常先将图像传感器芯片与透光盖板封装形成图像传感器芯片级封装件,再将该封装件与镜头组件装配成一整体,最后将该整体与封装基板进行装配。在与封装基板装配的过程中,需要保证图像传感器芯片的光学中心与封装基板的中心重合且共面,但是由于图像传感器芯片与镜头组件已经相对固定,常常难以调节镜头组件相对封装基板进行光轴对准,容易造成镜头组件偏心和倾斜,因此装配难度较大,进而影响图像传感器成像质量。
发明内容
本发明的目的在于提供一种图像传感器的芯片级封装方法,降低装配难度,提高成像质量。
基于以上考虑,本发明提供一种图像传感器的芯片级封装方法,包括如下步骤:S100:将图像传感器芯片级封装件粘合至封装基板的中央区域,使所述图像传感器芯片的光学中心与封装基板的中心重合;S200:再将镜头组件装配至封装基板的上方,镜头组件以封装基板为基准进行光轴对准,避免镜头组件偏心和倾斜。
优选的,所述图像传感器封装件的透光盖板上胶合红外截止滤光片;其中,红外截止滤光片包括:白玻璃红外截止滤光片、蓝玻璃红外截止滤光片、树脂蓝膜红外截止滤光片。
优选的,提供晶圆,所述晶圆具有若干完成芯片级封装的图像传感器芯片;将若干红外截止滤光片对应胶合至图像传感器芯片的透光盖板上表面;沿切割道切割晶圆形成单个的图像传感器芯片级封装件。
优选的,采用丝印方式遮挡所述封装件和封装基板粘合区域的光线,降低杂散光,提升图像质量。
优选的,提供设置有若干电子器件的电路板,装配所述封装基板至电路板上,其中,所述封装基板的内框架与外框架之间区域对应于所述些电子器件。
优选的,所述电子器件的上表面被封装基板遮挡,避免从电子器件对应的区域带来的漏光,影响成像质量。
优选的,所述电子器件包括:电容、电阻、驱动芯片。
优选的,所述封装件粘合至封装基板的中央区域的步骤中包括:将封装基板粘合至胶带上;将所述图像传感器芯片级封装件倒装至封装基板的内框中,通过封装基板上的第一对位标记与封装件的第二对位标记匹配完成同轴对位;将封装件与胶带贴合,使封装基板与封装件的光学中心重合且共面;使用胶状物质填充封装基板内框与封装件外侧之间的缝隙,完成粘合。
优选的,所述的胶装物质为:UV胶、黑胶。
优选的,所述图像传感器封装件的透光盖板底部设置光学增透膜。
优选的,所述封装基板设置有两个相邻的镂空区域,所述镂空区域粘合两个图像传感器芯片级封装件,形成双摄像头结构。
本发明的图像传感器的芯片级封装方法,先将图像传感器芯片级封装件粘合至封装基板的中央区域,使所述图像传感器芯片的光学中心与封装基板的中心重合,再将镜头组件装配至封装基板的上方,镜头组件以封装基板为基准进行光轴对准,避免镜头组件偏心和倾斜,降低装配难度,提高成像质量。
附图说明
通过说明书附图以及随后与说明书附图一起用于说明本发明某些原理的具体实施方式,本发明所具有的其它特征和优点将变得清楚或得以更为具体地阐明。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于格科微电子(上海)有限公司,未经格科微电子(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711130424.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的