[发明专利]封装体结构、芯片封装体及其形成方法有效
申请号: | 201711130777.X | 申请日: | 2017-11-15 |
公开(公告)号: | CN108807196B | 公开(公告)日: | 2022-01-28 |
发明(设计)人: | 裴浩然;曹智强;陈威宇;林修任;郑明达;谢静华;刘重希 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 冯志云;王芝艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 结构 芯片 及其 形成 方法 | ||
1.一种芯片封装体的形成方法,包括:
形成一基底层于一承载基板上;
形成一保护层于该基底层上,以围绕一半导体管芯,其中该保护层具有相对的一第一表面及一第二表面;
形成一介电层于该保护层的该第一表面及该半导体管芯上方;
形成一导电部件于该介电层上方,使得该导电部件电性连接至该半导体管芯的一导电元件;
移除该承载基板;
形成一导电凸块于该保护层的该第二表面上;
将一压印模板放置在该保护层的该第二表面上,以覆盖该导电凸块;
设置一含聚合物材料,以部分地覆盖该保护层的该第二表面;
将该含聚合物材料经由该压印模板的开口压印至该保护层上;以及
硬化该含聚合物材料,以在该保护层的该第二表面及该半导体管芯上形成一翘曲控制元件,使得该半导体管芯位于该翘曲控制元件与该介电层之间,其中该翘曲控制元件具有比该基底层小的光穿透率。
2.如权利要求1的芯片封装体的形成方法,其中在形成该翘曲控制元件之前,先形成该导电凸块。
3.如权利要求1的芯片封装体的形成方法,还包括:
在形成该保护层前,形成一导电柱于该半导体管芯旁;以及
在将一压印模板放置在该保护层的该第二表面上的同时,覆盖该导电柱。
4.如权利要求3的芯片封装体的形成方法,其中该导电凸块形成于该导电柱上。
5.如权利要求1的芯片封装体的形成方法,还包括:
设置一模具于该半导体管芯上;
将一模塑料材料注入该模具内,以围绕该半导体管芯;
使该模塑料材料硬化,以形成该保护层;以及
移除该模具。
6.如权利要求1的芯片封装体的形成方法,其中该导电凸块电性连接至该半导体管芯的一第二导电元件,且该翘曲控制元件不与该导电凸块直接接触。
7.一种芯片封装体的形成方法,包括:
形成一基底层于一承载基板上;
形成多个导电柱及设置多个半导体管芯于该基底层上;
形成一保护层于该基底层上,以围绕所述多个导电柱及所述多个半导体管芯;
形成一介电层于该保护层的一第一表面、所述多个导电柱及所述多个半导体管芯上;
形成多个第一导电凸块于该介电层上;
移除该承载基板;
形成多个第二导电凸块于该保护层的一第二表面上,其中该第一表面与该第二表面相对,且所述多个第一导电凸块和所述多个第二导电凸块位于该保护层相对的两侧上;
将一压印模板放置在该保护层的该第二表面上,以部份地覆盖所述多个第二导电凸块;
设置一含聚合物材料,以部分地覆盖该保护层的该第二表面;
将该含聚合物材料经由该压印模板的开口压印至该保护层上;以及
使该含聚合物材料硬化,以形成多个翘曲控制元件于该保护层上,其中所述多个翘曲控制元件与所述多个第二导电凸块直接接触,且每一个所述多个翘曲控制元件具有比该基底层小的光穿透率。
8.如权利要求7的芯片封装体的形成方法,还包括对该保护层执行一切割操作,以形成多个芯片封装体,其中一个所述芯片封装体包含一个所述半导体管芯及一个所述翘曲控制元件。
9.如权利要求7的芯片封装体的形成方法,还包括在该承载基板移除后,形成多个开口于该基底层内,以露出所述多个导电柱,其中所述多个第二导电凸块填入所述多个开口。
10.如权利要求7的芯片封装体的形成方法,其中在压印所述多个翘曲控制元件前,形成所述多个第二导电凸块。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造