[发明专利]封装体结构、芯片封装体及其形成方法

说明书

根据一些实施例，提供芯片封装体的形成方法。上述方法包含形成保护层，以围绕半导体管芯，其中保护层具有相对的第一表面及第二表面。上述方法包含形成介电层于保护层的第一表面及半导体管芯上方。上述方法包含形成导电部件于介电层上方，使得导电部件电性连接至半导体管芯的导电元件。上述方法还包括将翘曲控制元件压印至保护层的第二表面及半导体管芯上，使得半导体管芯位于翘曲控制元件与介电层之间。

技术领域

本公开一些实施例涉及芯片封装体及其形成方法，特别涉及具有翘曲控制元件的芯片封装体及其形成方法。

背景技术

半导体集成电路工业历经快速的成长，集成电路的制造的进步使得半导体装置具有更佳的部件及/或更高程度的整合。功能密度(即，单位面积内互相连接的装置数目)逐渐增加而几何尺寸(即，用一制造工艺能产生的最小的元件(或线))逐渐减小。此逐渐缩减的工艺通过增加生产效率及降低相关的成本以提供利益。

芯片封装体不只保护半导体装置，使其免于外界环境的污染，也提供了让半导体装置封装于其内部的连接界面。使用了更少的体积或较低的高度之较小的封装体结构持续的发展来封装半导体装置。

新的封装技术持续地发展，更加改善了半导体管芯的密度及功能。然而，这些新型态的用于半导体管芯的封装技术面临了工艺的挑战。

发明内容

根据一些实施例，提供芯片封装体的形成方法。上述方法包含形成保护层，以围绕半导体管芯，其中保护层具有相对的第一表面及第二表面。上述方法包含形成介电层于保护层的第一表面及半导体管芯上方。上述方法包含形成导电部件于介电层上方，使得导电部件电性连接至半导体管芯的导电元件。上述方法还包括将翘曲控制元件压印至保护层的第二表面及半导体管芯上，使得半导体管芯位于翘曲控制元件与介电层之间。

附图说明

本公开的各种样态最好的理解方式为阅读以下说明书的详说明并配合所附附图。应该注意的是，本公开的各种不同特征部件并未依据工业标准作业的尺寸而绘制。事实上，为使说明书能清楚叙述，各种不同特征部件的尺寸可以任意放大或缩小。

图1A-图1L是根据一些实施例，形成芯片封装结构的中间各阶段的工艺的剖面图；

图2A-图2B是根据一些实施例，形成芯片封装结构的中间各阶段的工艺的剖面图；

图3A是根据一些实施例，形成芯片封装结构的其中一个阶段的工艺的剖面图；

图3B是根据一些实施例，形成芯片封装结构的其中一个阶段的工艺的剖面图；

图4A-图4C是根据一些实施例，形成芯片封装结构的中间各阶段的工艺的剖面图；

图5A-图5D是根据一些实施例，芯片封装结构的上视图。

附图标记说明：

100～承载基板

102～粘着层

104～基底层

106～籽晶层

112A～导电结构

112B～导电结构

112C～导电结构

112D～导电结构

114～半导体基板

116～介电结构

118～导电部件

120～粘着膜

122A～半导体管芯

122B～半导体管芯

124～保护层