[发明专利]闪存单元的制备方法

权利要求书

1.一种闪存单元的制备方法，其特征在于，所述闪存单元的制备方法包括：

提供衬底，所述衬底上依次形成有浮栅多晶硅层和第一介质层；

刻蚀所述第一介质层和部分厚度的所述浮栅多晶硅层，形成第一开口和第二开口；

在所述第一开口和所述第二开口中形成第一控制栅和第二控制栅；

刻蚀所述第一开口和所述第二开口之间的第一介质层和浮栅多晶硅层，形成第三开口；

在所述第三开口中形成字线栅。

2.如权利要求1所述的闪存单元的制备方法，其特征在于，刻蚀所述第一介质层和部分厚度的所述浮栅多晶硅层，形成第一开口和第二开口包括：

采用各向异性刻蚀的方法刻蚀所述第一介质层和部分厚度的所述浮栅多晶硅层，形成所述第一开口和所述第二开口；

采用各向同性刻蚀的方法刻蚀所述第一开口和所述第二开口内部分厚度的浮栅多晶硅层，使所述浮栅多晶硅层的表面呈弧形。

3.如权利要求1所述的闪存单元的制备方法，其特征在于，在所述第一开口和所述第二开口中形成第一控制栅和第二控制栅之前，所述闪存单元的制备方法还包括：

在所述第一开口和所述第二开口的侧壁形成侧墙。

4.如权利要求3所述的闪存单元的制备方法，其特征在于，在所述第一开口和所述第二开口的侧壁形成侧墙包括：

在所述第一开口的内壁、所述第二开口的内壁和所述第一介质层上形成一氧化层；

刻蚀所述第一开口的底壁、所述第二开口的底壁和所述第一介质层上的氧化层，以形成侧墙。

5.如权利要求1所述的闪存单元的制备方法，其特征在于，在所述第一开口和所述第二开口中形成第一控制栅和第二控制栅包括：

在所述第一开口和所述第二开口的底壁形成隔离层；

形成控制栅多晶硅层，所述控制栅多晶硅层覆盖所述第一介质层并填充所述第一开口和所述第二开口；

刻蚀所述第一介质层上的控制栅多晶硅层以及所述第一开口和所述第二开口内部分厚度的控制栅多晶硅层。

6.如权利要求5所述的闪存单元的制备方法，其特征在于，所述隔离层为氧化层-氮化层-氧化层的复合结构层。

7.如权利要求5所述的闪存单元的制备方法，其特征在于，刻蚀所述第一开口和所述第二开口之间的第一介质层和浮栅多晶硅层，形成第三开口包括：

形成第二介质层，所述第二介质层覆盖所述第一介质层并填充所述第一开口和所述第二开口；

刻蚀所述第一开口和所述第二开口之间的第二介质层、第一介质层和浮栅多晶硅层，形成第三开口。

8.如权利要求7所述的闪存单元的制备方法，其特征在于，在所述第三开口中形成字线栅包括：

形成字线栅多晶硅层，所述字线栅多晶硅层覆盖所述第二介质层并填充所述第三开口；

刻蚀所述第二介质层上的字线栅多晶硅层和所述第一介质层上的第二介质层，形成字线栅。

9.如权利要求1所述的闪存单元的制备方法，其特征在于，在所述第三开口中形成字线栅之后，所述闪存单元的制备方法还包括：

去除所述第一介质层及位于所述第一介质层下的浮栅多晶硅层。

10.如权利要求1所述的闪存单元的制备方法，其特征在于，所述衬底和所述浮栅多晶硅层之间还形成有第三介质层。

11.如权利要求10所述的闪存单元的制备方法，其特征在于，所述第三介质层的材料包括氧化硅、氮氧化硅和碳氧化硅中的一种或多种。

12.如权利要求1所述的闪存单元的制备方法，其特征在于，所述第一介质层的材料包括氮化硅和/或氮化钛。

13.如权利要求1所述的闪存单元的制备方法，其特征在于，所述第一开口、所述第三开口及所述第二开口并排排列。

14.如权利要求1所述的闪存单元的制备方法，其特征在于，采用化学气相沉积或原子层沉积形成所述第一介质层和所述浮栅多晶硅层。