[发明专利]闪存单元的制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制备领域，尤其涉及一种闪存单元的制备方法。

背景技术

在现有存储器发展中，闪存(Flash)已经成为非易失性半导体存储技术的主流，闪存作为一种长寿命的非易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)的存储器，由于其断电时仍能保存数据，闪存通常被用来保存设置信息，如在电脑的BIOS(基本程序)、PDA(个人数字助理)、数码相机中保存资料等。

但现有的制造闪存的方法需要经过非常多的刻蚀步骤，并且刻蚀的薄膜层数多、厚度高，形成器件的工艺复杂并且时间长。

发明内容

本发明的目的在于提供一种闪存单元的制备方法，以解决现有的制造闪存单元工艺复杂的问题。

为了达到上述目的，本发明提供了一种闪存单元的制备方法，包括：

提供衬底，所述衬底上依次形成有浮栅多晶硅层和第一介质层；

刻蚀所述第一介质层和部分厚度的所述浮栅多晶硅层，形成第一开口和第二开口；

在所述第一开口和所述第二开口中形成第一控制栅和第二控制栅；

刻蚀所述第一开口和所述第二开口之间的第一介质层和浮栅多晶硅层，形成第三开口；

在所述第三开口中形成字线栅；

可选的，刻蚀所述第一介质层和部分厚度的所述浮栅多晶硅层，形成第一开口和第二开口包括：

采用各向异性刻蚀的方法刻蚀所述第一介质层和部分厚度的所述浮栅多晶硅层，形成所述第一开口和所述第二开口；

采用各向同性刻蚀的方法刻蚀所述第一开口和所述第二开口内部分厚度的浮栅多晶硅层，使所述浮栅多晶硅层的表面呈弧形；

可选的，在所述第一开口和所述第二开口中形成第一控制栅和第二控制栅之前，所述闪存单元的制备方法还包括：

在所述第一开口和所述第二开口的侧壁形成侧墙；

可选的，在所述第一开口和所述第二开口的侧壁形成侧墙包括：

在所述第一开口的内壁、所述第二开口的内壁和所述第一介质层上形成一氧化层；

刻蚀所述第一开口的底壁、所述第二开口的底壁和所述第一介质层上的氧化层，以形成侧墙；

可选的，在所述第一开口和所述第二开口中形成第一控制栅和第二控制栅包括：

在所述第一开口和所述第二开口的底壁形成隔离层；

形成控制栅多晶硅层，所述控制栅多晶硅层覆盖所述第一介质层并填充所述第一开口和所述第二开口；

刻蚀所述第一介质层上的控制栅多晶硅层以及所述第一开口和所述第二开口内部分厚度的控制栅多晶硅层；

可选的，所述隔离层为氧化层-氮化层-氧化层的复合结构层；

可选的，刻蚀所述第一开口和所述第二开口之间的第一介质层和浮栅多晶硅层，形成第三开口包括：

形成第二介质层，所述第二介质层覆盖所述第一介质层并填充所述第一开口和所述第二开口；

刻蚀所述第一开口和所述第二开口之间的第二介质层、第一介质层和浮栅多晶硅层，形成第三开口；

可选的，在所述第三开口中形成字线栅包括：

形成字线栅多晶硅层，所述字线栅多晶硅层覆盖所述第二介质层并填充所述第三开口；

刻蚀所述第二介质层上的字线栅多晶硅层和所述第一介质层上的第二介质层，形成字线栅；

可选的，在所述第三开口中形成字线栅之后，所述闪存单元的制备方法还包括：

去除所述第一介质层及位于所述第一介质层下的浮栅多晶硅层；

可选的，所述衬底和所述浮栅多晶硅层之间还形成有第三介质层；

可选的，所述第三介质层的材料包括氧化硅、氮氧化硅和碳氧化硅中的一种或多种；

可选的，所述第一介质层的材料包括氮化硅和/或氮化钛；

可选的，所述第一开口、所述第三开口及所述第二开口并排排列；

可选的，采用化学气相沉积或原子层沉积形成所述第一介质层和所述浮栅多晶硅层。

在本发明提供的闪存单元的制备方法中，包括在衬底上依次形成浮栅多晶硅层和第一介质层；刻蚀所述第二介质层和部分厚度的浮栅多晶硅层，形成第一开口和第二开口；在所述第一开口和所述第二开口形成第一控制栅和第二控制栅；去除所述第一开口和第二开口之间的第一介质层和浮栅多晶硅层，形成第三开口；在所述第三开口内形成字线栅。与现有技术相比，本发明提供的闪存单元的制备方法可以同时形成第一开口和第二开口，然后在开口内同时形成第一控制栅和第二控制栅，工艺简单、步骤较少，然后再形成第三开口和字线栅，需要形成的介质层较少，也降低了闪存单元的制备时间和成本。