[发明专利]光穿透辐射元件

权利要求书

1.一种光穿透辐射元件，其特征在于，包含：

基板；

至少一个透明导电膜结构，配置于所述基板的至少一个表面，所述至少一个透明导电膜结构的电阻值小于0.1mΩ，且所述至少一个透明导电膜结构在光波长为440纳米处的光穿透度大于50％；以及

辐射结构，用以产生第一射频信号，所述第一射频信号通过所述基板电性耦合于所述至少一个透明导电膜结构，借以产生第二射频信号，所述第一射频信号与所述第二射频信号的频率位置、返回损失、电压驻波比及谐波模态均为相异。

2.如权利要求1所述的光穿透辐射元件，其特征在于，所述至少一个透明导电膜结构的厚度介于0.5微米与5微米之间。

3.如权利要求1所述的光穿透辐射元件，其特征在于，所述至少一个透明导电膜结构的电阻率为能调整的，其电阻值介于0.01mΩ与0.1mΩ之间。

4.如权利要求1所述的光穿透辐射元件，其特征在于，所述基板的材质为玻璃、聚乙烯对苯二甲酸酯、聚碳酸酯、聚乙烯、聚氯乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、环烯烃共聚物或透明陶瓷材料。

5.如权利要求1所述的光穿透辐射元件，其特征在于，所述至少一个透明导电膜结构是步阶式阻抗共振器、环形共振器、片型共振器、四分之一波长共振器、二分之一波长共振器或槽孔式共振器。

6.如权利要求1所述的光穿透辐射元件，其特征在于，所述辐射结构是单极天线、偶极天线、槽孔天线、回圈天线、螺线天线、倒F型天线、平板天线、八木天线或阵列天线。

7.如权利要求1所述的光穿透辐射元件，其特征在于，所述至少一个透明导电膜结构包含第一透明导电膜结构及第二透明导电膜结构，所述第一透明导电膜结构与所述第二透明导电膜结构配置于所述基板的相对两表面上。

8.如权利要求7所述的光穿透辐射元件，其特征在于，所述第一透明导电膜结构与所述第二透明导电膜结构的透光度及电阻率均为相异。

9.如权利要求1所述的光穿透辐射元件，其特征在于，所述第二射频信号与所述第一射频信号的频率差异介于0.1MHz与10GHz之间，且所述第二射频信号与所述第一射频信号的返回损失差异介于5dB与30dB之间。

10.如权利要求1所述的光穿透辐射元件，其特征在于，所述透明导电膜材料包含金纳米线、镍铜纳米线、银纳米线、镍铁纳米线、钴纳米线、铜纳米线、铅纳米线、镍纳米线或纳米碳管。