[发明专利]光穿透辐射元件在审
申请号: | 201711133913.0 | 申请日: | 2017-11-16 |
公开(公告)号: | CN109802229A | 公开(公告)日: | 2019-05-24 |
发明(设计)人: | 吴宏伟;洪政源;叶昌鑫 | 申请(专利权)人: | 吴宏伟 |
主分类号: | H01Q1/38 | 分类号: | H01Q1/38;H01Q1/36 |
代理公司: | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 | 代理人: | 席勇;周勇 |
地址: | 中国台湾台南市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 射频信号 透明导电膜 辐射元件 穿透 辐射结构 基板 天线 无线通讯产品 电压驻波 光穿透度 基板电性 结构配置 频率位置 频率响应 耦合 光波长 电阻 可用 模态 相异 谐波 返回 转换 | ||
本发明公开了一种光穿透辐射元件。其包含基板、至少一个透明导电膜结构以及辐射结构。至少一个透明导电膜结构配置于基板的至少一个表面,至少一个透明导电膜结构的电阻值小于0.1mΩ,且至少一个透明导电膜结构在光波长为440纳米处的光穿透度大于50%;辐射结构用以产生第一射频信号,第一射频信号通过基板电性耦合于至少一个透明导电膜结构,借以产生第二射频信号,第一射频信号与第二射频信号的频率位置、返回损失、电压驻波比及谐波模态均为相异。本发明的光穿透辐射元件可用于转换射频信号的频率响应以增强天线的效能,进而改善含有天线的无线通讯产品的效能。
技术领域
本发明是有关于一种光穿透辐射元件,且特别是有关于一种具有透明且 导电特性的薄膜结构的光穿透辐射元件,其可以耦合方式转换射频信号为响 应相异的另一射频信号,可用以调整天线的频率响应,借以改善含有天线的 无线通讯产品的效能。此光穿透辐射元件具有高透光度,故在与无线通讯产 品的整合上具有极高弹性。
背景技术
一般而言,天线装置广泛应用于现今无线通讯产品中,例如笔记本电脑、 手机等包含天线的无线通讯产品。然而,经由机壳封装后,通讯电子产品的 信号收发能力会降低。针对上述问题,公知解决方法为采用整合于保护盖上 的天线以增强信号收发能力,且调整无线通讯产品中的天线辐射信号。然而, 此解决方法是采用金属做为无线通讯产品外部的耦合天线材料,为达到天线 效能,无法采用透明导电材料(例如透明导电膜)制作,故无法将耦合天线 透明化。另一方面,公知透明导电元件是采用透明导电膜进行制作,然而, 现今的透明导电膜的量产方式是采用溅镀设备(sputter),此溅镀设备生产透 明导电膜的速度极慢;若用于制作射频被动元件,需考量到薄膜厚度需要大 于元件操作频率的集肤深度(skin effect),亦即特定频率电磁波在金属导体表 面传播时所需厚度,故采用透明导电膜生产被动元件不符合经济效益。有鉴 于此,有必要开发一种光穿透辐射元件,其通过耦合方式改善无线通讯产品 信号收发效能,且其具备高透明度的特性,以易于与无线通讯产品外观结合。
参照中国台湾专利公告号M458059的新型专利,其公开了一种手机保护 壳结构,其为一种加强手机信号的手机保护壳结构,利用应用非接触式的方 法将设置于保护壳上的金属片与手机的天线耦合,借以达到增加无线通讯装 置的效果。然而,金属片的色泽无法整合于透明保护壳上,而势必采用有色 保护壳以遮蔽金属片,导致影响手机本身外观的显现。
职是之故,申请人乃细心试验与研究,并一本锲而不舍的精神,终于研 究出一种光穿透辐射元件,特别是有关于一种可转换射频信号频率响应的光 穿透辐射元件,且其具有高透明度的特性。通过此光穿透辐射元件,可转换 既有天线的频率响应,改善配置天线的无线通讯产品的效能,以及调整使用 频段以扩展用途的功效。此外,因本光穿透辐射元件具有高透光度,故其在 与无线通讯产品的整合上具有高度弹性。
发明内容
本发明的主要目的在于提出一种光穿透辐射元件,通过其以耦合方式转 换射频信号为响应相异的另一射频信号,可用以调整天线的频率响应,借以 改善含有此天线的无线通讯产品的效能,且因其具有高透光度,故在与无线 通讯产品的整合上具有高度弹性。
为达上述目的,本发明提出一种光穿透辐射元件,其包含有基板、至少 一个透明导电膜结构和辐射结构。透明导电膜结构配置于基板的至少一个表 面,其电阻值小于0.1mΩ,且其在光波长440纳米处的光穿透度大于50%。 辐射结构用以产生第一射频信号,此第一射频信号通过基板电性耦合于透明 导电膜结构,借以产生第二射频信号。第一射频信号与第二射频信号的频率 位置、返回损失(return loss)、电压驻波比及谐波模态均为相异。
根据本发明的一实施例,上述透明导电膜结构的厚度介于0.5微米(μm) 与5微米之间。
根据本发明的又一实施例,上述透明导电膜结构的电阻率为可调整的, 其电阻值介于0.01mΩ与0.1mΩ之间。
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