[发明专利]一种芯片的制作方法

权利要求书

1.一种芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

通过外延工艺，在过渡衬底上形成过渡外延层，所述过渡衬底与目标外延层晶格匹配，以在所述过渡衬底表面形成整面晶体结构的所述过渡外延层；

通过外延工艺，以所述过渡外延层为靶材，在目标衬底上形成所述芯片的目标外延层，所述目标外延层为单晶结构；

其中，所述外延工艺为溅射工艺。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述芯片为LED芯片，所述LED芯片具有多层依次层叠的所述目标外延层；

所述在过渡衬底上形成过渡外延层包括：

提供多个第一衬底；

在所述第一衬底的表面形成刻蚀截止层；

在所述刻蚀截止层表形成所述过渡外延层；

其中，所述第一衬底以及所述刻蚀截止层均与对应的所述目标外延层晶格匹配；所述过渡外延层与所述目标外延层一一对应，每一所述过渡外延层用于形成对应的所述目标外延层。

3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述目标衬底具有第二衬底以及位于所述第二衬底表面的反射层结构；

所述以所述过渡外延层为靶材，在目标衬底上形成所述芯片的目标外延层包括：

将所述第一衬底固定在靶材支架上，所述靶材支架具有开口；

刻蚀去除位于所述靶材开口区域内的所述第一衬底，刻蚀深度至所述刻蚀截止层；

剥离所述刻蚀截止层后，按照所述LED芯片中所述目标外延层的层叠顺序采用对应的所述过渡外延层作为靶材，在所述反射层结构上依次形成多层所述目标外延层。

4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述反射层结构为分布式布拉格反射镜。

5.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述反射层结构包括依次形成在所述第二衬底表面的氟化镁层、ITO层以及银层；

其中，所述氟化镁层具有通孔，所述ITO层通过所述通孔与所述第二衬底连接。

6.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述过渡外延层的厚度不小于2μm。

7.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述LED芯片的外延层包括在所述反射层结构表面依次形成的N型半导体层、多量子阱层以及P型半导体层；所述量子阱层包括多层叠交替设置的势垒层以及势阱层；

采用四个第一衬底，分别用于形成对应所述N型半导体层的过渡外延层，对应所述势垒层的过渡外延层，对应所述势阱层的过渡外延层以及对应所述P型半导体层的过渡外延层；

其中，所述P型半导体层表面覆盖有GaP层。

8.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述LED芯片的外延层包括在所述反射层结构表面依次形成的N型半导体层、多量子阱层以及P型半导体层；所述量子阱层包括多层叠交替设置的势垒层以及势阱层；所述N型半导体层包括i层依次层叠，且掺杂浓度不同的N型子半导体层，i为大于1的正整数；所述P型半导体层包括j层依次层叠，且掺杂浓度不同的P型子半导体层，j为大于1的正整数；

采用i个第一衬底，分别用于形成对应i层所述N型子半导体层的过渡外延层；采用两个第一衬底，分别用于形成对应所述势垒层的过渡外延层以及对应所述势阱层的过渡外延层；采用j个第一衬底，分别用于形成对应j层所述P型子半导体层的过渡外延层；

其中，所述P型半导体层表面覆盖有GaP层。

9.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述LED芯片的外延层包括多个层叠设置的LED单元；所述LED单元包括在依次层叠的N型半导体层、多量子阱层以及P型半导体层；所述量子阱层包括多层叠交替设置的势垒层以及势阱层；

采用四个第一衬底，分别用于形成对应所述N型半导体层的过渡外延层，对应所述势垒层的过渡外延层，对应所述势阱层的过渡外延层以及对应所述P型半导体层的过渡外延层；

其中，所述P型半导体层表面覆盖有GaP层。

10.根据权利要求1-9任一项所述的制作方法，其特征在于，还包括：

在形成最外表面的GaP层后，在500℃条件下退火处理10min。