[发明专利]一种芯片的制作方法

说明书

本发明公开了一种芯片的制作方法中，采用与目标外延层晶格匹配的过渡衬底，通过外延工艺可以在所述过渡衬底表面形成整面晶体结构的过渡外延层。由于所述过渡外延层为整面晶体结构，故可以通过外延工艺，以所述过渡外延层为靶材，在非晶格匹配的目标衬底上形成单晶结构的所述目标外延层。由于所述目标外延层为通过外延工艺形成的单晶结构，其厚度精度较好，且与所述目标衬底的生长应力较小，无需再压合新的衬底，以进行衬底转移，克服了现有技术中外延层的生长厚度的精度较差、压合应力以及生长应力较大的问题，提高了LED芯片的可靠性。

技术领域

本发明涉及半导体工艺技术领域，更具体的说，涉及一种芯片的制作方法。

背景技术

工业化生产LED芯片方法一般是在蓝宝石、碳化硅或是硅衬底上依次生长LED芯片的外延层，形成外延片，无论是生长在哪种衬底上，目前技术都发展到将外延衬底上的外延层转移到新的衬底上，以提高LED芯片的光电性能。转移外延层的方法是在外延片上压合一块新的衬底，然后将外延衬底去除，从而实现将外延层从外延衬底转移到新的衬底上。

现有技术中，对于蓝宝石衬底一般采用激光剥离方法去除，对于碳化硅衬底一般采用光增强化学腐蚀方法去除，对于硅衬底一般采用化学腐蚀方法去除。

现有技术中，外延层的生长厚度的精度较差、压合应力以及生长应力较大，导致LED芯片的可靠性较差。

发明内容

为了解决上述问题，本发明技术方案提供了一种芯片的制作方法，该方法无需进行衬底转移，克服了现有技术中外延层的生长厚度的精度较差、压合应力以及生长应力较大的问题，提高了LED芯片的可靠性。

为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种芯片的制作方法，所述制作方法包括：

通过外延工艺，在过渡衬底上形成过渡外延层，所述过渡衬底与目标外延层晶格匹配，以在所述过渡衬底表面形成整面晶体结构的所述过渡外延层；

通过外延工艺，以所述过渡外延层为靶材，在目标衬底上形成所述芯片的目标外延层，所述目标外延层为单晶结构。

优选的，在上述制作方法中，所述芯片为LED芯片，所述LED芯片具有多层依次层叠的所述目标外延层；

所述在过渡衬底上形成过渡外延层包括：

提供多个第一衬底；

在所述第一衬底的表面形成刻蚀截止层；

在所述刻蚀截止层表形成所述过渡外延层；

其中，所述第一衬底以及所述刻蚀截止层均与对应的所述目标外延层晶格匹配；所述过渡外延层与所述目标外延层一一对应，每一所述过渡外延层用于形成对应的所述目标外延层。

优选的，在上述制作方法中，所述目标衬底具有第二衬底以及位于所述第二衬底表面的反射层结构；

所述以所述过渡外延层为靶材，在目标衬底上形成所述芯片的目标外延层包括：

将所述第一衬底固定在靶材支架上，所述靶材支架具有开口；

刻蚀去除位于所述靶材开口区域内的所述第一衬底，刻蚀深度至所述刻蚀截止层；

剥离所述刻蚀截止层后，按照所述LED芯片中所述目标外延层的层叠顺序采用对应的所述过渡外延层作为靶材，在所述反射层结构上依次形成多层所述目标外延层。

优选的，在上述制作方法中，所述反射层结构为分布式布拉格反射镜。

优选的，在上述制作方法中，所述反射层结构包括依次形成在所述第二衬底表面的氟化镁层、ITO层以及银层；