[发明专利]基板处理装置在审
| 申请号： | 201711136158.1 | 申请日： | 2017-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN108074843A | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 冈村聪;枇杷聪 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基板处理装置 容器主体 输送口 开口 处理流体 处理容器 收容基板 维护作业 对基板 盖构件 封堵 基板 输出 | ||
【权利要求书】：
1.一种基板处理装置，其具备：
容器主体，其收容基板，并且使用高压的处理流体对所述基板进行处理；
输送口，其用于相对于所述容器主体内输入和输出所述基板；
开口，其设于所述容器主体的、与所述输送口不同的位置；
盖构件，其封堵所述开口。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
该基板处理装置设有对所述盖构件由于所述容器主体内的压力而移动的情况进行限制的限制构件。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，
在所述容器主体设有嵌入孔，所述限制构件通过嵌入所述嵌入孔，来限制所述盖构件的移动。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的基板处理装置，其中，
在所述盖构件连接有向所述容器主体内供给所述处理流体的第1供给管线。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的基板处理装置，其中，
所述开口设于与所述输送口相对的位置。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的基板处理装置，其中，
在所述容器主体的底面连接有向所述容器主体内供给所述处理流体的第2供给管线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
