[发明专利]基板处理装置在审
| 申请号： | 201711136158.1 | 申请日： | 2017-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN108074843A | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 冈村聪;枇杷聪 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基板处理装置 容器主体 输送口 开口 处理流体 处理容器 收容基板 维护作业 对基板 盖构件 封堵 基板 输出 | ||
本发明提供一种能够容易地进行处理容器的维护作业的基板处理装置。基板处理装置(3)具备：容器主体(311)，其收容基板(W)，并且，使用高压的处理流体对基板(W)进行处理；输送口(312)，其用于相对于容器主体(311)内输入和输出基板(W)。在容器主体(311)的、与输送口(312)不同的位置设有开口(321)。开口(321)被第2盖构件(322)封堵。
技术领域
本发明涉及基板处理装置。
背景技术
在将集成电路的层叠构造形成于作为基板的半导体晶圆(以下称为晶圆)等的表面的半导体装置的制造工序中，进行利用化学溶液等清洗液将晶圆表面的微小的尘土、自然氧化膜去除等利用液体来对晶圆表面进行处理的液处理工序。
公知有在将在这样的液处理工序中残留到晶圆的表面的液体去除之际使用超临界状态的处理流体的方法。
例如专利文献1公开了一种基板处理装置，使超临界状态的流体与基板接触而将残留到基板的液体去除。另外，专利文献2公开一种基板处理装置，利用超临界流体从基板之上使有机溶剂溶解而使基板干燥。
专利文献1：日本特开2013-12538号公报
专利文献2：日本特开2013-16798号公报
发明内容
不过，以往，在使用了超临界状态的流体的基板处理装置中，处理容器的内部成为高压，因此，为了提高处理容器的耐压性，缩小基板的输送口的面积。因此，存在处理容器内的维护作业并不容易这样的问题。
本发明是在这样的背景下做成的，目的在于提供一种能够容易地进行处理容器内的维护作业的基板处理装置。
本发明的一实施方式涉及一种基板处理装置，其具备：容器主体，其用于收容基板，并且使用高压的处理流体对所述基板进行处理；输送口，其用于相对于所述容器主体内输入和输出所述基板；开口，其设于所述容器主体的、与所述输送口不同的位置；盖构件，其封堵所述开口。
根据本发明，能够容易地进行处理容器内的维护作业。
附图说明
图1是表示清洗处理系统的整体结构的横剖俯视图。
图2是表示超临界处理装置的处理容器的一个例子的外观立体图。
图3是表示超临界处理装置的处理容器的一个例子的剖视图。
图4是表示处理容器的维护用开口的周围的剖视图。
图5是表示处理容器的维护用开口的周围的剖视图。
图6是表示超临界处理装置的系统整体的结构例的图。
图7是用于说明IPA的干燥机理的图，简单地表示晶圆所具有的作为凹部的图案的放大剖视图。
图8的(a)、(b)是表示维护超临界处理装置的处理容器之际的作用的剖视图。
图9是表示超临界处理装置的处理容器的变形例的侧视图。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
