[发明专利]半导体装置及半导体装置的制作方法

权利要求书

1.一种形成一半导体装置的方法，其特征在于，该方法包含：

蚀刻一层间介电以形成暴露一源极/漏极的一部分的一接触开口；

将一含钛材料沉积进该接触开口中，其中沉积该含钛材料的一能量足以导致该源极/漏极的一材料沿该层间介电的侧壁的再沉积以形成自该源极/漏极的一顶表面延伸的多个突出；以及

退火该半导体装置以在该源极/漏极中及在所述突出中形成一硅化物层。

2.如权利要求1所述的方法，还包含使用一接触插塞填充该接触开口。

3.如权利要求1所述的方法，其中退火该半导体装置包含形成包含TiSi₂或TiSiGe的该硅化物层。

4.如权利要求1所述的方法，其中退火该半导体装置包含在该源极/漏极中形成多个子区域，其中该些子区域的每个子区域的源极/漏极材料的组分百分比各不相同。

5.如权利要求4所述的方法，其中退火该半导体装置包含在最接近该硅化物层处形成该源极/漏极的一第一子区域，该第一子区域在该些子区域中具有最低浓度的锗。

6.如权利要求1所述的方法，其中沉积该含钛材料包含沉积钛或氮化钛。

7.如权利要求1所述的方法，其中沉积该含钛材料包含使用足够的能量沉积该含钛材料，以在该源极/漏极的该顶表面以上形成具有一高度的该些突出，该些突出的该高度在自3纳米至7纳米的范围内。

8.如权利要求1所述的方法，其中沉积该含钛材料包含使用足够的能量沉积该含钛材料，以在邻近于该源极/漏极的该顶表面形成具有一宽度的该些突出，该些突出的该宽度在自4纳米至6纳米的范围内。

9.如权利要求1所述的方法，其中沉积该含钛材料包含使用足够的能量沉积该含钛材料，以形成具有锥形轮廓的该些突出。

10.一种形成一半导体装置的方法，其特征在于，包含：

蚀刻一层间介电以形成暴露一源极/漏极的一部分的一接触开口，其中该源极/漏极包含硅锗；

沉积一含钛材料进该接触开口，其中沉积该含钛材料的能量足以导致硅锗沿该层间介电的侧壁再沉积以形成多个突出；以及

退火该半导体装置以在该源极/漏极及该些突出中形成一硅化物层，其中经退火的该源极/漏极包含具有一第一锗浓度的一第一区域及具有不同于该第一锗浓度的一第二锗浓度的一第二区域。

11.如权利要求10所述的方法，其中退火该半导体装置包含邻近于该硅化物层处形成该第一区域，该第一区域的该第一锗浓度低于该第二区域的该第二锗浓度。

12.如权利要求11所述的方法，其中退火该半导体装置包含在该第一区域与该第二区域之间的该源极/漏极中形成一第三区域。

13.如权利要求12所述的方法，其中退火该半导体装置包含形成具有比该第二区域的该第二锗浓度更高的锗浓度的该第三区域。

14.如权利要求10所述的方法，其中退火该半导体装置包含形成具有锥形轮廓的该些突出。

15.如权利要求10所述的方法，其中蚀刻该层间介电包含形成在该半导体装置的一栅极结构上方延伸的该接触开口。

16.一种半导体装置，其特征在于，包含：

一栅极结构，在一基板上；

一源极/漏极，在该基板中并邻近于该栅极结构，其中该源极/漏极包含自该源极/漏极的一顶表面延伸的多个突出，其中该些突出具有锥形轮廓；

一硅化物层，在该些突出中及沿该源极/漏极的该顶表面设置，其中该硅化物层包含钛；以及

一接触插塞，经由该硅化物层电连接至该源极/漏极。