[发明专利]半导体装置及半导体装置的制作方法

说明书

一种形成半导体装置的方法，包括蚀刻层间介电(ILD)以形成暴露源极/漏极的一部分的接触开口。方法还包括将含钛材料沉积进接触开口中，其中沉积含钛材料的能量足以导致源极/漏极的材料沿ILD的侧壁再沉积以形成自源极/漏极的顶表面延伸的突出。方法还包括退火半导体装置以在源极/漏极中及在突出中形成硅化物层。

技术领域

本揭露是关于一种半导体装置及半导体装置的制作方法。

背景技术

包括应变源极/漏极(source/drain；S/D)区域的半导体装置有助于增大半导体装置的通道区域中的导电率。应变源极/漏极区域具有不同于周边基板的晶格结构。晶格结构中的差异在半导体装置的通道区域上施加压力以增大导电率。

退火制程用以在半导体装置的应变源极/漏极区域中形成硅化物层。退火制程加热半导体装置以导致至少硅与金属材料之间的反应。由于温度升高，应变源极/漏极区域内的能量增大及材料扩散的几率增大。

发明内容

本揭露一态样提供了一种形成半导体装置的方法。方法包括蚀刻层间介电(ILD)以形成暴露源极/漏极的部分的接触开口。方法还包括将含钛材料沉积进接触开口中，其中沉积含钛材料的能量足以导致源极/漏极的材料沿ILD的侧壁再沉积以形成自源极/漏极的顶表面延伸的突出。方法还包括退火半导体装置以在源极/漏极及突出中形成硅化物层。

本揭露的另一态样是关于形成半导体装置的方法。方法包括蚀刻层间介电(ILD)以形成暴露源极/漏极的部分的接触开口，其中源极/漏极包含硅锗(SiGe)。方法还包括将含钛材料沉积进接触开口中，其中沉积含钛材料的能量足以导致SiGe沿ILD的侧壁再沉积以形成突出。方法还包括退火半导体装置以在源极/漏极及突出中形成硅化物层，其中退火的源极/漏极包含具有第一锗浓度的第一区域及具有不同于第一锗浓度的第二锗浓度的第二区域。

本揭露的又一态样是关于半导体装置。半导体装置包括在基板上的栅极结构及在基板中并邻近于栅极结构的源极/漏极(源极/漏极)，其中源极/漏极包含自源极/漏极的顶表面延伸的突出。半导体装置包括在突出中及沿源极/漏极的顶表面的硅化物层，其中硅化物层包含钛。半导体装置还包括经由硅化物层电连接至源极/漏极的接触插塞。

本揭露的又一态样是关于一种形成半导体装置的方法，包含将含钛材料沉积在源极/漏极上，其中沉积含钛材料的能量足以导致源极/漏极的材料沿相邻于源极/漏极的介电层的侧壁的再沉积以形成自源极/漏极的顶表面延伸的多个突出；以及退火半导体装置以在源极/漏极中及在突出中形成硅化物层。

本揭露的又一态样是关于一种半导体装置，在基板中并邻近于栅极结构的源极/漏极，其中源极/漏极包含自源极/漏极的顶表面延伸的突出，其中突出具有锥形轮廓；在突出中的硅化物层，其中硅化物层包含钛；以及接触插塞。接触插塞经由硅化物层电连接至突出。

本揭露的又一态样是关于一种半导体装置，包含在基板上的栅极结构；在基板中并邻近于栅极结构的源极/漏极，其中源极/漏极包含自源极/漏极的顶表面延伸的至少一突出；沿着突出及沿源极/漏极的顶表面设置的硅化物层；以及接触插塞，接触插塞经由硅化物层电连接至突出。

附图说明

当结合附图阅读时，自以下详细描述很好地理解本揭示案的态样。应当注意，根据工业中标准实务，各特征未按比例绘制。事实上，为论述清楚，各特征的大小可任意地增加或缩小。

图1为根据一些实施例的半导体装置的横截面图；

图2为根据一些实施例的制造半导体装置的方法的流程图；

图3A至图3D为根据一些实施例的在制造期间的阶段处的半导体装置的横截面图；

图4为根据一些实施例的半导体装置的放大图；

图5为根据一些实施例的半导体装置的放大图。

具体实施方式