[发明专利]带隙基准电压产生装置

权利要求书

1.一种带隙基准电压产生装置，其特征在于，包括：

主体电路，包括运算放大器、第一晶体管和第二晶体管，所述运算放大器的反相输入端与所述第一晶体管的发射极耦合，所述运算放大器的同相输入端与所述第二晶体管的发射极耦合，所述主体电路用于产生带隙基准电压；

第一补偿电路，所述第一补偿电路的第一电流补偿端与所述反相输入端耦合，在非辐射条件下，所述第一电流补偿端的电压等于第一电压，在辐射条件下，所述第一补偿电路用于为所述反相输入端提供第一补偿电流，所述第一补偿电流等于所述第一晶体管在该辐射下的漏电流增加量；

第二补偿电路，所述第二补偿电路的第二电流补偿端与所述同相输入端耦合，在非辐射条件下，所述第二电流补偿端的电压等于第二电压，在辐射条件下，所述第二补偿电路用于为所述同相输入端提供第二补偿电流，所述第二补偿电流等于所述第二晶体管在该辐射下的漏电流增加量；

其中，所述第一电压为非辐射条件下独立的所述主体电路中所述反相输入端的电压，所述第二电压为非辐射条件下独立的所述主体电路中所述同相输入端的电压。

2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一补偿电路包括：

第一漏电流生成电路，包括第三晶体管、第四晶体管、第四电阻和第五电阻，所述第三晶体管和所述第四晶体管的基极和集电极均接电源端，所述第四晶体管的发射极与所述第五电阻的一端耦合，所述第五电阻的另一端为所述第一电流补偿端，且在非辐射条件下，所述第三晶体管和所述第四晶体管的发射极电流相等，在辐射条件下，所述第四晶体管的漏电流增加量减去所述第三晶体管的漏电流增加量等于所述第一晶体管的漏电流增加量；

第一电流镜，包括第一参考电流输入端、第一镜像电流输出端和第一偏置电压输入端，所述第一参考电流输入端通过所述第四电阻与所述第三晶体管的发射极耦合，所述第一镜像电流输出端与所述第一电流补偿端耦合；

第一偏置电路，所述第一偏置电路与所述第一偏置电压输入端耦合，用于调节所述第一电流补偿端的电压。

3.如权利要求2所述的装置，其特征在于，所述第四晶体管的发射结面积减去所述第三晶体管的发射结面积等于所述第一晶体管的发射结面积。

4.如权利要求2所述的装置，其特征在于，所述第一电流镜包括：第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管，所述第一NMOS管的源极和所述第二NMOS管的源极均接地，所述第一NMOS管的栅极和漏极以及所述第二NMOS管的栅极均与所述第三NMOS管的源极耦合，所述第三NMOS管的漏极为所述第一参考电流输入端，所述第二NMOS管的漏极与所述第四NMOS管的源极耦合，所述第四NMOS管的漏极为所述第一镜像电流输出端，所述第三NMOS管的栅极和所述第四NMOS管的栅极相连、且作为所述第一偏置电压输入端，所述第一偏置电压输入端用于引入偏置电压，使得所述第三NMOS管和所述第四NMOS管均工作在饱和区。

5.如权利要求2所述的装置，其特征在于，所述第一偏置电路包括：第五NMOS管、第六NMOS管、第四PMOS管和第六电阻，所述第四PMOS管的源极接电源端，所述第四PMOS管的栅极和漏极均与所述第五NMOS管的漏极耦合，所述第五NMOS管的栅极与所述第一偏置电压输入端耦合，所述第六NMOS管的栅极和漏极均与所述第五NMOS管的源极耦合，所述第六NMOS管的源极通过所述第六电阻接地。