[发明专利]一种接触孔底部钨栓缺陷的检测结构及检测方法

权利要求书

1.一种接触孔底部钨栓缺陷的检测方法，应用于半导体衬底中接触孔底部钨栓缺陷的检测，其特征在于，检测结构包括一半导体衬底，所述半导体衬底包括：

有源区，在所述有源区上间隔形成多个多晶硅图形，多个所述多晶硅图形之间设有空隙区域；

接触孔，所述接触孔形成于所述多晶硅图形之间的空隙区域，所述接触孔填充钨栓，以形成接触孔钨栓结构；

所述检测方法包括如下步骤：

步骤S1，首先建立所述检测结构，并且对所述检测结构进行离子注入工艺；

步骤S2，对所述接触孔钨栓结构进行平坦化工艺处理，并对放置在所述接触孔钨栓结构上的晶圆进行研磨处理；

步骤S3，使用一检测机台对所述晶圆进行缺陷检测。

2.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述有源区至少设置为五个。

3.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述多晶硅图形至少设置为八组。

4.根据权利要求3所述的检测方法，其特征在于，每两组所述多晶硅图形之间的接触孔的数量相同。

5.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述有源区、所述多晶硅图形及所述接触孔的尺寸均模拟被检测产品的6T SRAM结构中的NMOS特征。

6.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述步骤S1中所述离子注入方式为N-SD/N-well或N-SD/P-well或P-SD/P-well。

7.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述步骤S2中所述研磨为过研磨，所述过研磨的比例为常规研磨的100％-300％。

8.根据权利要求7所述的检测方法，其特征在于，所述检测方法对所述接触孔钨栓结构的阻值差异进行检测。

9.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述检测机台为电子束扫描机台。