[发明专利]基板处理装置、基板处理方法以及存储介质

说明书

本发明提供一种使附着于使用超临界流体进行处理后的基板的表面的微粒水平降低的基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。在将处理容器(301)内的压力从比处理流体的临界压力低的压力(例如常压)升压到比临界压力高的处理压力的升压工序的至少一部分期间，一边使处理流体以被控制后的排出流量从处理容器排出，一边从流体供给源向处理容器供给处理流体，由此进行升压。附着于处理容器内的构件表面的微粒由于从流体供给源向处理容器供给处理流体而上扬。该微粒与处理流体一起从处理容器被排出。

技术领域

本发明涉及一种使用超临界状态的处理流体来将残留于基板的表面的液体去除的技术。

背景技术

在作为基板的半导体晶圆(以下称为晶圆)等的表面形成集成电路的层叠结构的半导体装置的制造工序中，进行药液清洗或湿蚀刻等液处理。近年来，在利用这样的液处理将残留于晶圆的表面的液体去除时，一直使用利用超临界状态的处理流体的干燥方法(例如参照专利文献1)。

当从超临界流体的供给源向处理容器供给超临界状态的处理流体来进行基板的干燥处理时，附着于处理容器内的构件表面的微粒上扬而微粒附着于处理后的基板的表面这样的情况时常发生。

专利文献1：日本特开2013-12538号公报

发明内容

发明要解决的问题

本发明的目的在于，提供一种能够使附着于使用超临界状态的处理流体进行处理后的基板的表面的微粒水平降低的技术。

用于解决问题的方案

根据本发明的一个实施方式，提供一种基板处理装置，所述基板处理装置使用超临界状态的处理流体来对基板进行处理，该基板处理装置具备：处理容器，其收纳所述基板；供给线，其将送出处于超临界状态的处理流体的流体供给源和所述处理容器连接；排出线，其从所述处理容器排出处理流体；排出流量调节部，其调节从所述处理容器向所述排出线排出的处理流体的流量；以及控制部，其控制所述排出流量调节部的动作，其中，所述控制部在将所述处理容器内的压力从比处理流体的临界压力低的压力升压到比临界压力高的处理压力的升压工序的至少一部分期间，一边通过控制所述排出流量调节部来使处理流体以被控制后的排出流量从所述处理容器向所述排出线排出，一边使所述流体供给源经由所述供给线向所述处理容器供给处理流体，由此进行升压。

根据本发明的其它实施方式，提供一种基板处理方法，所述基板处理方法使用超临界状态的处理流体来对基板进行处理，该基板处理方法包括以下工序：搬入工序，将所述基板收纳于处理容器；以及升压工序，将所述处理容器内的压力从比临界压力低的压力升压到比处理流体的临界压力高的处理压力，其中，在所述升压工序的至少一部分期间，一边使处理流体以被控制后的排出流量从所述处理容器排出，一边从流体供给源向所述处理容器供给处理流体，由此进行升压。

根据本发明的另一其它实施方式，提供一种存储介质，所述存储介质存储以下程序，该程序在被用于控制基板处理装置的动作的计算机执行时，使所述计算机控制所述基板处理装置来执行上述的基板处理方法。

发明的效果

根据本发明，能够使附着于使用超临界状态的处理流体进行处理后的基板的表面的微粒水平降低。

附图说明

图1是表示基板处理系统的整体结构的横剖俯视图。

图2是超临界处理装置的处理容器的外观立体图。

图3是处理容器的截面图。

图4是超临界处理装置的配管系统图。

图5是说明IPA的干燥机理的图。