[发明专利]互电容触膜屏功能片及其制备方法在审
申请号: | 201711142747.0 | 申请日: | 2017-11-17 |
公开(公告)号: | CN107943343A | 公开(公告)日: | 2018-04-20 |
发明(设计)人: | 袁凯;刘海滨;谭化兵 | 申请(专利权)人: | 无锡格菲电子薄膜科技有限公司 |
主分类号: | G06F3/041 | 分类号: | G06F3/041;G06F3/044 |
代理公司: | 北京世衡知识产权代理事务所(普通合伙)11686 | 代理人: | 肖淑芳,郝文博 |
地址: | 214000 江苏省无锡市惠山经*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电容 触膜屏 功能 及其 制备 方法 | ||
1.一种互电容触膜屏功能片,包括:
包括基底膜;
设置于基底膜上的驱动线层;
设置于驱动线层上的隔离层;
设置于隔离层上的感应线层;
设置于感应线层上的保护胶层;和
导线;
所述导线部分与所述驱动线层的驱动线连接并引出,部分与所述感应线层的感应线连接并引出。
2.根据权利要求1所述的互电容触膜屏功能片,其特征在于,所述基底膜为透明基底膜,选自PET、PMMA、PVC、PC、PI、COP、COC等材料中的一种;和/或,所述基底膜的厚度为10-200μm。
3.根据权利要求1所述的互电容触膜屏功能片,其特征在于,所述驱动线层的驱动线为透明导线,优选选自I TO、纳米银、碳纳米管、石墨烯或金属网格等透明导电材料;和/或,所述感应线层的感应线为透明导线,优选选自I TO、纳米银、碳纳米管、石墨烯或金属网格等透明导电材料;
优选地,所述驱动线层由透明导电材料图案化而成,和/或所述感应线层由透明导电材料图案化而成。
4.根据权利要求3所述的互电容触膜屏功能片,其特征在于,所述感应线层的图案化采用以下三种方式之一,
一、先在载体膜表面制作一层透明导电材料并图案化,然后将已经图案化的透明导电材料完好地转移至隔离层表面;
二、先在隔离层表面制作整面的透明导材料,然后再图案化;
三、将静电转移、溅镀、涂布、喷涂、印刷等工艺与黄光、酸碱蚀刻、蚀刻膏、激光等工艺结合,在隔离层直接制作成图案化的透明导电材料作为感应线层。
5.根据权利要求1所述的互电容触膜屏功能片,其特征在于,所述驱动线层的厚度为0.1-200nm;
和/或,所述感应线层的厚度为0.1-200nm。
6.根据权利要求1所述的互电容触膜屏功能片,其特征在于,所述隔离层的面积小于所述驱动线层,露出驱动线层的边缘;
和/或,所述导线设置在驱动线层和感应线层的边缘,部分导线与驱动线层的驱动线连接并引出与电容感应芯片连接,部分导线与感应线层的感应线连接并引出与电容感应芯片连接;
和/或,所述导线的厚度高于所述隔离层的厚度。
7.根据权利要求1所述的互电容触膜屏功能片,其特征在于,所述隔离层采用透明绝缘胶,优选选自OC、S iO2、S i N、丙烯酸树脂或环氧树脂等;和/或,所述隔离层的厚度为30-10000nm。
8.根据权利要求1所述的互电容触膜屏功能片,其特征在于,所述导线采用金属导电线,优选为MoAl Mo、Cu、银浆线、铜浆线或碳浆;和/或,所述导线的厚度为300-15000nm。
9.根据权利要求1所述的互电容触膜屏功能片,其特征在于,所述导线按照如下方法形成:
先在驱动线层边缘形成导体膜,再图案化导体膜形成导线;
优选地,所述在驱动线层边缘形成导体膜采用溅镀、涂布、喷涂、印刷等方式制作而成;所述图案化导体膜通过黄光、酸碱蚀刻、蚀刻膏、激光等方式制作而成。
10.一种互电容触膜屏功能片的制备方法,包括:
在基底膜上制作驱动线层;
在驱动线层表面制作一层隔离层,所述隔离层面积小于驱动线层,使驱动线层需要与导线搭接的边缘漏出;
在隔离层表面制作感应线层;
制作导线;和
在感应线层表面贴合一层OCA保护胶。
11.根据权利要求10所述的互电容触膜屏功能片的制备方法,其特征在于,所述在隔离层表面制作感应线层采用下列三种方法之一:
一、先在载体膜表面制作一层透明导电材料并图案化,然后将已经图案化的透明导电材料完好地转移至隔离层表面;
二、先在隔离层表面制作整面的透明导材料,然后再图案化;
三、将静电转移、溅镀、涂布、喷涂、印刷等工艺与黄光、酸碱蚀刻、蚀刻膏、激光等工艺结合,在隔离层直接制作成图案化的透明导电材料作为感应线层。
12.根据权利要求10所述的互电容触膜屏功能片的制备方法,其特征在于,所述导线按照如下方法制作:
先在驱动线层边缘形成导体膜,再图案化导体膜形成导线;优选地,所述在驱动线层边缘形成导体膜采用溅镀、涂布、喷涂、印刷等方式制作而成;所述图案化导体膜通过黄光、酸碱蚀刻、蚀刻膏、激光等方式制作而成。
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