[发明专利]一种银单质掺杂的CZTSSe薄膜的制备方法和应用

权利要求书

1.一种银单质掺杂的CZTSSe薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)配置不同Ag含量的CZTSSe前驱体溶液，Cu+Ag的总浓度保持在0.2mol/L，将单质铜、锌、锡、硫、硒、银按照一定的比例加入有机溶剂中，加热搅拌至完全溶解后，加入稳定剂继续搅拌至完全溶解形成稳定的CAZTSSe前驱体溶液；

2)将柔性衬底依次进行清洗、烘干；

3)将前驱体溶液反复旋涂到柔性衬底上，经退火处理后在柔性衬底上制备CAZTSSe预制层，退火温度为200~500℃；

4)将经步骤3）处理后的样品置于RTP硒化炉中进行后硒化处理，硒化温度范围为400~600℃，保持硒化温度处理8~30min，升温速率为6℃/s~10℃/s，在整个硒化处理过程中持续通保护气体，制得CAZTSSe薄膜；

所述CAZTSSe薄膜中Ag/（Cu+Ag）的摩尔百分比为3%、4%、5%或6%；

步骤1）中的有机溶剂是指乙二胺和乙二硫醇的混合液；

步骤1）中的稳定剂是指乙醇胺、巯基乙酸和乙二醇甲醚的混合液。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤2)中对柔性衬底进行清洗烘干具体指将钼衬底依次在浓硫酸和甲醇混合溶液中利用电化学技术进行清洗，在无水乙醇中超声清洗，在去离子水中超声清洗，之后将钼衬底在干燥箱中烘干；或将溅射Mo的柔性聚酰亚胺薄膜依次在在无水乙醇中超声清洗，在去离子水中超声清洗，之后将衬底在干燥箱中烘干。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，CAZTSSe薄膜的厚度为1.5~3微米。