[发明专利]体声波谐振器及制造该体声波谐振器的方法

权利要求书

1.一种体声波谐振器，包括：

基板保护层，设置在基板上；

腔，由膜层和所述基板限定；及

谐振部，设置在所述膜层上，其中：

所述腔通过使用包括卤化物基气体和氧气的混合气体去除牺牲层而形成，并且

在形成所述腔后，所述膜层和所述基板保护层中的一者或两者具有或更小的厚度差。

2.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述膜层和所述基板保护层中的任意一者或两者包括氮化硅或二氧化硅。

3.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述谐振部包括：

下电极，设置在所述膜层上；

压电层，覆盖所述下电极的至少部分；及

上电极，设置在所述压电层上。

4.根据权利要求3所述的体声波谐振器，所述体声波谐振器还包括：

钝化层，设置在除了所述上电极和所述下电极的部分之外的区域中，及

金属焊盘，设置在所述上电极和所述下电极的没有设置所述钝化层的所述部分上。

5.根据权利要求3所述的体声波谐振器，所述体声波谐振器还包括：

框架部，在有效区的边缘处设置在所述上电极上。

6.一种形成体声波谐振器的方法，所述方法包括：

在基板保护层上形成牺牲层；

在所述基板保护层上形成膜层并且覆盖所述牺牲层；

在所述膜层上形成谐振部；

形成钝化层以覆盖所述谐振部；

将所述钝化层图案化以暴露所述谐振部的部分；

形成连接到所述谐振部的金属焊盘；及

使用包括卤化物基气体和氧气的混合气体去除所述牺牲层，以形成腔。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述膜层和所述基板保护层中的一者或两者包括氮化硅或二氧化硅。

8.根据权利要求6所述的方法，其中，在去除所述牺牲层后，所述膜层和所述基板保护层中的一者或两者具有或更小的厚度差。

9.根据权利要求6所述的方法，其中，在所述膜层上形成所述谐振部的步骤包括：

在所述膜层上形成下电极，使得所述下电极的部分设置在所述牺牲层上；

形成覆盖所述下电极的部分的压电层；及

在所述压电层上形成上电极。

10.根据权利要求6所述的方法，其中，与所述卤化物基气体混合的所述氧气的量在2标准立方厘米每分钟到100标准立方厘米每分钟的范围内。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述卤化物基气体为二氟化氙。

12.根据权利要求6所述的方法，其中，所述混合气体通过混合气体供应管提供到所述牺牲层。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述卤化物基气体存储在蚀刻气体存储室中，所述氧气存储在氧气存储室中，并且所述卤化物基气体和所述氧气在所述混合气体供应管中混合。

14.根据权利要求6所述的方法，其中，所述混合气体通过在混合气体存储室中混合所述卤化物基气体和所述氧气而获得。