[发明专利]一种发光二极管及制作方法

权利要求书

1.一种发光二极管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上形成外延层结构，所述外延层结构包括：在第一方向上依次设置的第一缓冲层、反射层、第一限制层、MQW多量子阱有源层、第二限制层、第二缓冲层以及电流扩展层，其中，所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述外延层结构；

在所述电流扩展层背离所述第二缓冲层的一侧形成氧化铟锡透明薄膜层；

采用设定的刻蚀液对所述氧化铟锡透明薄膜层的表面进行刻蚀，形成预设要求的多个圆孔，其中，所述圆孔的深度小于所述氧化铟锡透明薄膜层的厚度；

在所述氧化铟锡透明薄膜层的表面的未刻蚀区域形成P电极；

在所述衬底背离所述外延层的一侧形成N电极。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述电流扩展槽为高掺杂镁的P-GaP电流扩展层；

其中，镁的掺杂浓度范围为2×10¹⁸cm^-3-8×10¹⁹cm^-3，包括端点值，所述电流扩展层的厚度范围为2um-5um，包括端点值。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述电流扩展层背离所述第二缓冲层的一侧形成氧化铟锡透明薄膜层包括：

采用电子束蒸镀的方式，在所述电流扩展层背离所述第二缓冲层的一侧形成氧化铟锡透明薄膜；

其中，所述氧化铟锡透明薄膜的厚度范围为200nm-400nm，包括端点值。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，采用设定的刻蚀液对所述氧化铟锡透明薄膜层的表面进行刻蚀，形成预设要求的圆孔包括：

采用HCL：FeCl₃：CH₃COOH体积比为2：5：1和水组成的刻蚀液，在30℃-50℃的温度下，对所述氧化铟锡透明薄膜层的表面进行刻蚀，其中，刻蚀速率范围为0.3nm/s-0.6nm/s，包括端点值。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，采用设定的刻蚀液对所述氧化铟锡透明薄膜层的表面进行刻蚀，形成预设要求的圆孔包括：

采用HCL：H₂O体积比为1：2的刻蚀液，在70℃-90℃的温度下，对所述氧化铟锡透明薄膜层的表面进行刻蚀，其中，刻蚀速率范围为1nm/s-1.5nm/s，包括端点值。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述圆孔的深度范围为10nm-100nm，包括端点值。

7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述圆孔的直径范围为3um-8um，包括端点值。

8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，相邻两个圆孔之间的间距范围为3um-8um，包括端点值。

9.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述P电极的材料为铬钛铝材料或铬铝材料；

所述N电极的材料为金锗合金材料或金锗镍合金材料。

10.一种发光二极管，其特征在于，基于权利要求1-9任一项所述的制作方法制作，所述发光二极管包括：

衬底；

设置在所述衬底上的外延层结构，所述外延层结构包括：在第一方向上依次设置的第一缓冲层、反射层、第一限制层、MQW多量子阱有源层、第二限制层、第二缓冲层以及电流扩展层，其中，所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述外延层结构；

设置在所述电流扩展层背离所述第二缓冲层的一侧的氧化铟锡透明薄膜层，其中，所述氧化铟锡透明薄膜层上设置有多个预设要求的圆孔；

设置在所述氧化铟锡透明薄膜层背离所述外延层结构一侧的P电极；

设置在所述衬底背离所述外延层结构一侧的N电极。