[发明专利]一种发光二极管及制作方法在审
申请号: | 201711144448.0 | 申请日: | 2017-11-17 |
公开(公告)号: | CN107910412A | 公开(公告)日: | 2018-04-13 |
发明(设计)人: | 肖和平;宗远 | 申请(专利权)人: | 扬州乾照光电有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/12;H01L33/20 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 王宝筠 |
地址: | 225101 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 发光二极管 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及光电子LED技术领域,更具体地说,尤其涉及一种发光二极管及制作方法。
背景技术
随着科学技术的不断发展,发光二极管已广泛应用于人们的日常生活、工作以及工业中,为人们的生活带来了极大的便利。
发光二极管(Light Emitting Diode,LED)具有效率高、能耗低、寿命长、无污染、体积小、色彩丰富等诸多优点,为一种重要的固态照明装置。
四元系LED芯片由于其发光效率高、颜色范围广、耗电量少、寿命长、单色发光、反应速度快、耐冲击及体积小等优点被广泛应用于指示、显示各种装置上,因此特别是高亮度及高功率的发光二极管组件需求量很大。
但是,现有的发光二极管出光效率低,无法满足市场需求。
发明内容
为解决上述问题,本发明提供了一种发光二极管及制作方法,该发光二极管出光效率高。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:
一种发光二极管的制作方法,所述制作方法包括:
提供一衬底;
在所述衬底上形成外延层结构,所述外延层结构包括:在第一方向上依次设置的第一缓冲层、反射层、第一限制层、MQW多量子阱有源层、第二限制层、第二缓冲层以及电流扩展层,其中,所述第一方向垂直于所述衬底,且由所述衬底指向所述外延层结构;
在所述电流扩展层背离所述第二缓冲层的一侧形成氧化铟锡透明薄膜层;
采用设定的刻蚀液对所述氧化铟锡透明薄膜层的表面进行刻蚀,形成预设要求的多个圆孔,其中,所述圆孔的深度小于所述氧化铟锡透明薄膜层的厚度;
在所述氧化铟锡透明薄膜层的表面的未刻蚀区域形成P电极;
在所述衬底背离所述外延层的一侧形成N电极。
优选的,在上述制作方法中,所述电流扩展槽为高掺杂镁的P-GaP电流扩展层;
其中,镁的掺杂浓度范围为2×1018cm-3-8×1019cm-3,包括端点值,所述电流扩展层的厚度范围为2um-5um,包括端点值。
优选的,在上述制作方法中,所述在所述电流扩展层背离所述第二缓冲层的一侧形成氧化铟锡透明薄膜层包括:
采用电子束蒸镀的方式,在所述电流扩展层背离所述第二缓冲层的一侧形成氧化铟锡透明薄膜;
其中,所述氧化铟锡透明薄膜的厚度范围为200nm-400nm,包括端点值。
优选的,在上述制作方法中,采用设定的刻蚀液对所述氧化铟锡透明薄膜层的表面进行刻蚀,形成预设要求的圆孔包括:
采用HCL:FeCl3:CH3COOH体积比为2:5:1和水组成的刻蚀液,在30℃-50℃的温度下,对所述氧化铟锡透明薄膜层的表面进行刻蚀,其中,刻蚀速率范围为0.3nm/s-0.6nm/s,包括端点值。
优选的,在上述制作方法中,采用设定的刻蚀液对所述氧化铟锡透明薄膜层的表面进行刻蚀,形成预设要求的圆孔包括:
采用HCL:H2O体积比为1:2的刻蚀液,在70℃-90℃的温度下,对所述氧化铟锡透明薄膜层的表面进行刻蚀,其中,刻蚀速率范围为1nm/s-1.5nm/s,包括端点值。
优选的,在上述制作方法中,所述圆孔的深度范围为10nm-100nm,包括端点值。
优选的,在上述制作方法中,所述圆孔的直径范围为3um-8um,包括端点值。
优选的,在上述制作方法中,相邻两个圆孔之间的间距范围为3um-8um,包括端点值。
优选的,在上述制作方法中,所述P电极的材料为铬钛铝材料或铬铝材料;
所述N电极的材料为金锗合金材料或金锗镍合金材料。
本发明还提供了一种发光二极管,所述发光二极管包括:
衬底;
设置在所述衬底上的外延层结构,所述外延层结构包括:在第一方向上依次设置的第一缓冲层、反射层、第一限制层、MQW多量子阱有源层、第二限制层、第二缓冲层以及电流扩展层,其中,所述第一方向垂直于所述衬底,且由所述衬底指向所述外延层结构;
设置在所述电流扩展层背离所述第二缓冲层的一侧的氧化铟锡透明薄膜层,其中,所述氧化铟锡透明薄膜层上设置有多个预设要求的圆孔;
设置在所述氧化铟锡透明薄膜层背离所述外延层结构一侧的P电极;
设置在所述衬底背离所述外延层结构一侧的N电极。
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