[发明专利]霍尔元件以及霍尔元件的制造方法有效

专利信息
申请号: 201711145588.X 申请日: 2017-11-17
公开(公告)号: CN108075036B 公开(公告)日: 2021-08-13
发明(设计)人: 赤木刚;高桥徹也 申请(专利权)人: 旭化成微电子株式会社
主分类号: H01L43/06 分类号: H01L43/06;H01L43/04;H01L43/14
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;张会华
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 霍尔 元件 以及 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种霍尔元件,其中,

该霍尔元件包括:

基板;

磁感应部,其形成于所述基板上;

绝缘膜,其形成于所述磁感应部上;以及

导电部,其形成于所述绝缘膜上,该导电部自所述磁感应部的周边区域向所述磁感应部的中央区域侧延伸,且贯穿所述绝缘膜,并与所述磁感应部电连接,

霍尔元件利用接合于所述导电部的自所述磁感应部的周边区域向所述磁感应部的中央区域侧延伸的部分的接合线与外部电极电连接,

在以经过俯视时的所述磁感应部的中心和所述导电部与所述磁感应部接触的部分的剖面进行观察时,所述导电部的靠所述磁感应部的中心侧的侧面的至少一部分在所述导电部的靠所述磁感应部的中心侧的侧面中形成于与比所述导电部的靠所述磁感应部的中心侧的侧面和所述磁感应部的最外表面接触的点靠所述磁感应部的中心侧的相反侧的位置。

2.根据权利要求1所述的霍尔元件,其中,

在所述剖面中,所述导电部的至少一部分自所述导电部的侧面和所述磁感应部的最外表面接触的点向所述磁感应部的中心侧或者深度侧延伸50nm以上。

3.根据权利要求1或2所述的霍尔元件,其中,

在所述剖面中,所述导电部的至少一部分自所述导电部的侧面和所述磁感应部的最外表面接触的点向所述磁感应部的中心侧或者深度侧延伸所述绝缘膜的厚度的四分之一以上。

4.根据权利要求1所述的霍尔元件,其中,

所述导电部包括:

电极部,其自所述磁感应部的周边区域延伸至所述磁感应部的中央区域;以及

接触部,其贯穿所述绝缘膜,将所述电极部和所述磁感应部电连接起来。

5.根据权利要求4所述的霍尔元件,其中,

所述接触部具有正锥状的剖面形状。

6.根据权利要求1所述的霍尔元件,其中,

该霍尔元件还具有与所述导电部电连接的球部,

在所述剖面中,所述球部中的至少一个设置于比所述导电部和所述磁感应部接触的部分的中心靠所述磁感应部的中心侧的位置。

7.一种霍尔元件的制造方法,其中,

该霍尔元件的制造方法包括:

设置基板的阶段;

在所述基板上形成磁感应部的阶段;

在所述磁感应部上形成绝缘膜的阶段;以及

在所述绝缘膜上形成导电部的阶段,该导电部自所述磁感应部的周边区域向所述磁感应部的中央区域一侧延伸,且贯穿所述绝缘膜,并与所述磁感应部电连接,

霍尔元件利用接合于所述导电部的自所述磁感应部的周边区域向所述磁感应部的中央区域侧延伸的部分的接合线与外部电极电连接,

在以经过俯视时的所述磁感应部的中心和所述导电部与所述磁感应部接触的部分的剖面进行观察时,所述导电部的靠所述磁感应部的中心侧的侧面的至少一部分在所述导电部的靠所述磁感应部的中心侧的侧面中形成于与比所述导电部的靠所述磁感应部的中心侧的侧面和所述磁感应部的最外表面接触的点靠所述磁感应部的中心侧的相反侧的位置。

8.根据权利要求7所述的霍尔元件的制造方法,其中,

形成所述导电部的阶段包括:

在所述绝缘膜上形成电极部的阶段;

形成接触部的阶段,该接触部贯穿所述绝缘膜,将所述电极部和所述磁感应部电连接;以及

形成球部的阶段,该球部与所述电极部电连接,在俯视时形成在所述磁感应部上。

9.根据权利要求8所述的霍尔元件的制造方法,其中,

形成所述接触部的阶段在形成所述绝缘膜的阶段之前实行。

10.根据权利要求8或9所述的霍尔元件的制造方法,其中,

该霍尔元件的制造方法还包括如下阶段:

通过退火使所述接触部合金化,由此使所述接触部延伸至比所述导电部的侧面和所述磁感应部的最外表面接触的点靠所述磁感应部的中心侧的位置。

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