[发明专利]一种光敏电阻器的光敏材料及光敏电阻器的制备方法在审
申请号: | 201711149321.8 | 申请日: | 2017-11-18 |
公开(公告)号: | CN107910391A | 公开(公告)日: | 2018-04-13 |
发明(设计)人: | 江明泓 | 申请(专利权)人: | 四川启兴电子有限公司 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;H01L31/08;H01L31/18 |
代理公司: | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司51230 | 代理人: | 赵宇,刘东 |
地址: | 611130 四川省成都市*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 光敏 电阻器 材料 制备 方法 | ||
1.一种光敏电阻器的光敏材料,其特征在于,按重量份数计,所述光敏材料包括以下组分:硫化镉20-50份,硒化镉30-50份,氯化镉0.1-1份,氯化钐0.1-0.3份,硫化锌1-10份,硫酸铜溶液1-3份,离子水10-100份。
2.根据权利要求1所述的一种光敏电阻器的光敏材料,其特征在于,按重量份数计,所述光敏材料包括以下组分:硫化镉30-40份,硒化镉35-45份,氯化镉0.3-0.8份,氯化钐0.15-0.25份,硫化锌3-8份,硫酸铜溶液1.5-2.5份,离子水30-80份。
3.根据权利要求1或2所述的一种光敏电阻器的光敏材料,其特征在于,按重量份数计,所述光敏材料包括以下组分:硫化镉35份,硒化镉40份,氯化镉0.5份,氯化钐0.2份,硫化锌5份,硫酸铜溶液2份,离子水60份。
4.一种如权利要求1-3任一项所述的光敏电阻器的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)制备陶瓷基体,用纯度为90%-95%的三氧化铝制备而成;
(2)制备光敏溶液,将硫化镉,硒化镉,氯化镉,氯化钐,硫化锌溶解在离子水中,搅拌混合均匀,再加入硫酸铜溶液搅拌混合均匀,得到光敏溶液;
(3)将光敏溶液均匀喷涂在陶瓷基体的表面,形成光敏层;
(4)将喷涂后用的陶瓷基体静止15-25分钟后,再在1000-1500℃高温下烧结25-45分钟,然后在400-600℃下保温1小时,得到光敏电阻主体;
(5)在步骤(4)得到的光敏电阻主体表面喷涂隔离层,得到光敏电阻;
(6)将两个电机安装在步骤(5)形成的光敏电阻两端,得到光敏电阻器。
5.根据权利要求4所述的一种光敏电阻器的制备方法,其特征在于,所述隔离层为环氧树脂或金属。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的