[发明专利]基于半集总的扩充式微调滤波器

权利要求书

1.基于半集总的扩充式微调滤波器，包括金属腔体(1)，上腔体(2)，第一端口插针(3)，第二端口插针(4)，其特征在于，还包括围绕第一端口插针(3)表面边缘且与金属腔体(1)贴合的第一绝缘垫块(5)，与第一端口插针(3)连接的第一电容(7)，环形围绕第一电容(7)外表面边缘的第一介质层(19)，设置在上腔体(2)内且两端部分别与第一介质层(19)和金属腔体(1)贴合的第一电感(10)，内置于第一介质层(19)的第二电容(8)，设置在第二电容(8)内、用于频率微调的第一微调螺钉(9)，设置在第一介质层(19)与金属腔体(1)之间的第一绝缘垫层(18)，分别与第一介质层(19)固定连接的第一屏蔽连接线(25)和第三屏蔽连接线(27)，与第一屏蔽连接线(25)固定连接的第二介质层(21)，设置在第一介质层(19)和第二介质层(21)之间的第二绝缘垫层(20)，设置在上腔体(2)内且两端部分别与第二介质层(21)和金属腔体(1)贴合的第二电感(12)，穿入第二电感(12)内、用于调节该第二电感(12)感抗的微调铁芯螺杆(13)，内置于第二介质层(21)的第三电容(11)，分别与第二介质层(21)固定连接的第二屏蔽连接线(26)和第四屏蔽连接线(28)，与第二屏蔽连接线(26)固定连接的第三介质层(23)，设置在第三介质层(23)与第二介质层(21)之间的第三绝缘垫层(22)，设置在上腔体(2)内且两端部分别与第三介质层(23)和金属腔体(1)贴合的第三电感(16)，内置于第三介质层(23)的第四电容(14)和第五电容(17)，设置在第四电容(14)内、用于频率微调的第二微调螺钉(15)，设置在第三介质层(23)与金属腔体(1)之间的第四绝缘垫层(24)，围绕第二端口插针(4)表面边缘且与金属腔体(1)贴合的第二绝缘垫块(6)，与第三屏蔽连接线(27)固定连接的第一扩展部，与第四屏蔽连接(28)连接的第二扩展部，以及与第一扩展部和第二扩展部均匹配的谐振器(33)。

2.根据权利要求1所述的基于半集总的扩充式微调滤波器，其特征在于，所述第一扩展部包括与第三屏蔽连接线(27)固定连接的第一扩展腔(29)，以及与第一扩展腔(29)配合、用于堵塞该第一扩展腔(29)的第一绝缘堵头(31)。

3.根据权利要求2所述的基于半集总的扩充式微调滤波器，其特征在于，所述第二扩展部包括与四屏蔽连接线固定连接的第二扩展腔(30)，以及第二扩展腔(30)、用于堵塞该第二扩展腔(30)的第二绝缘堵头(32)。

4.根据权利要求3所述的基于半集总的扩充式微调滤波器，其特征在于，所述第一扩展腔(29)和第二扩展腔(30)内设有外部扩展连接的接触金属凸部。

5.根据权利要求4所述的基于半集总的扩充式微调滤波器，其特征在于，所述谐振器(33)包括与第一扩展腔(29)和第二扩展腔(30)均匹配的扩展接头(38)，与扩展接头(38)连接的第六电容(36)，环形围绕第六电容(36)的第四介质层(37)，设置在第四介质层(37)顶部的第二上腔体(34)，以及内置于第二上腔体(34)且与第四介质层(37)连接的第四电感(35)。

6.根据权利要求1～5任一项所述的基于半集总的扩充式微调滤波器，其特征在于，所述第一电容(7)、第二电容(8)和第一电感(10)构成第一T型滤波阶梯。

7.根据权利要求1～5任一项所述的基于半集总的扩充式微调滤波器，其特征在于，所述第五电容(17)、第四电容(14)和第三电感(16)构成第二T型滤波阶梯。

8.根据权利要求1～5任一项所述的基于半集总的扩充式微调滤波器，其特征在于，所述第一介质层(19)、第二介质层(21)、第三介质层(23)和第四介质层(37)采用高分子材料聚醚醚酮PEEK。