[发明专利]基于半集总的扩充式微调滤波器

说明书

技术领域

本发明涉及滤波技术领域，尤其是基于半集总的扩充式微调滤波器。

背景技术

滤波器是由电容、电感和电阻组成的滤波电路。因电感线圈具有通低频、阻高频特性，可滤除某一次或多次谐波，具有滤除噪声和分离信号的功能。滤波器对特定频率的频点或该频点以外的频率进行有效滤除，尽可能衰减无用信号，最终得到一个特定频率的信号，或消除一个特定频率后的电源信号，被广泛运用于电子设备传输领域。其中，LC滤波器按照功能可分为：LC低通滤波器、LC带通滤波器、高通滤波器、LC全通滤波器和LC带阻滤波器。

半集总的滤波器是将传统的电容、电阻和电感融合汇集成在一个金属腔体内，较传统的分散滤波电路占用面积更小，使用寿命更长，耦合性能更为优良。目前，半集总的滤波器设计多采用机械加工金属腔体，腔体内设置多根通管，通过共振方式进行滤波。如此设计不足之处在于，金属腔体加工工艺要求高，使得生产的滤波器与设计存储一定差异，滤波效果不佳。另外，采用金属加工的腔体，使得滤波的频率固定，无法进行调节，进而，其适用范围较为狭窄。不仅如此，机械加工的金属腔体体积较大，集成度较差。

因此，急需对半集总滤波器进行改进，保证滤波性能的同时，也能缩小占用体积，方便滤波频率调整。提升滤波器的扩展性能，进一步拓宽滤波的适用范围。

发明内容

针对上述不足之处，本发明的目的在于提供基于半集总的扩充式微调滤波器，主要解决现有技术中存在的集成度较差，存在频率差异，适用范围窄，不便于调试等问题。

为了实现上述目的，本发明采用的技术方案如下：

基于半集总的扩充式微调滤波器，包括金属腔体，上腔体，第一端口插针，第二端口插针，围绕第一端口插针表面边缘且与金属腔体贴合的第一绝缘垫块，与第一端口插针连接的第一电容，环形围绕第一电容外表面边缘的第一介质层，设置在上腔体内且两端部分别与第一介质层和金属腔体贴合的第一电感，内置于第一介质层的第二电容，设置在第二电容内、用于频率微调的第一微调螺钉，设置在第一介质层与金属腔体之间的第一绝缘垫层，分别与第一介质层固定连接的第一屏蔽连接线和第三屏蔽连接线，与第一屏蔽连接线固定连接的第二介质层，设置在第一介质层和第二介质层之间的第二绝缘垫层，设置在上腔体内且两端部分别与第二介质层和金属腔体贴合的第二电感，穿入第二电感内、用于调节该第二电感感抗的微调铁芯螺杆，内置于第二介质层的第三电容，分别与第二介质层固定连接的第二屏蔽连接线和第四屏蔽连接线，与第二屏蔽连接线固定连接的第三介质层，设置在第三介质层与第二介质层之间的第三绝缘垫层，设置在上腔体内且两端部分别与第三介质层和金属腔体贴合的第三电感，内置于第三介质层的第四电容和第五电容，设置在第四电容内、用于频率微调的第二微调螺钉，设置在第三介质层与金属腔体之间的第四绝缘垫层，围绕第二端口插针表面边缘且与金属腔体贴合的第二绝缘垫块，与第三屏蔽连接线固定连接的第一扩展部，与第四屏蔽连接连接的第二扩展部，以及与第一扩展部和第二扩展部均匹配的谐振器。

具体地，所述第一扩展部包括与第三屏蔽连接线固定连接的第一扩展腔，以及与第一扩展腔配合、用于堵塞该第一扩展腔的第一绝缘堵头。

进一步地，所述第二扩展部包括与四屏蔽连接线固定连接的第二扩展腔，以及第二扩展腔、用于堵塞该第二扩展腔的第二绝缘堵头。

优选地，所述第一扩展腔和第二扩展腔内设有外部扩展连接的接触金属凸部。

进一步地，所述谐振器包括与第一扩展腔和第二扩展腔均匹配的扩展接头，与扩展接头连接的第六电容，环形围绕第六电容的第四介质层，设置在第四介质层顶部的第二上腔体，以及内置于第二上腔体且与第四介质层连接的第四电感。

进一步地，所述第一电容、第二电容和第一电感构成第一T型滤波阶梯。

优选地，所述第五电容、第四电容和第三电感构成第二T型滤波阶梯。

进一步地，所述第一介质层、第二介质层、第三介质层和第四介质层采用高分子材料聚醚醚酮PEEK。

与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：

(1)本发明采用T型结构的滤波方式，增加滤波的零点，使带外抑制得到提高，电路的抗干扰能力明显增强。另外，通过设置调节频率的螺钉，对生产的滤波器进行微调，以满足设计需求，使滤波更精确。本发明适用于批量生产，方便后期调试，该滤波的适用范围较高。无需在加工精度方面投入大量的资金，即可满足滤波需要，进而降低滤波器的生产成本。