[发明专利]切割方法有效
申请号: | 201711156238.3 | 申请日: | 2017-11-20 |
公开(公告)号: | CN107931845B | 公开(公告)日: | 2020-05-05 |
发明(设计)人: | 王家杰 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;B23K26/36;B23K26/38;B23K26/402;B23K26/70 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 430070 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 切割 方法 | ||
本发明提供一种切割方法,用于切割柔性显示组件,包括:提供柔性显示组件,所述柔性显示组件包括玻璃基板、形成于所述玻璃基板上的柔性基底和形成于所述柔性基底背离所述玻璃基板的表面的柔性显示面板,所述柔性显示组件上预设有切割路径;沿所述切割路径切断所述柔性显示面板和所述柔性基底;翻转所述柔性显示组件;将形成有所述柔性显示面板的柔性基底从所述玻璃基板上剥离。本发明所述切割方法在切断柔性基底时,不切割玻璃基板,直接采用激光剥离技术将显示面板剥离下来,省去了传统工艺中的裂片制程,简化了生产流程,大大提升了切割的精度。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种切割方法。
背景技术
随着科学技术的日新月异,柔性显示面板因其低功耗、小体积和可便携等特点收到了广大使用者的青睐。因此,柔性显示面板的制备已成为最近的研究热点。
在目前的实际生产中,主要是先通过在玻璃载板上完成耐高温柔性薄膜、阵列和有机发光层制程后,再对柔性显示组件进行切割来获得多个柔性显示面板。目前的切割主要为两种方式,第一种是进行多次激光切割,切断显示面板之间的柔性基底层并达到核实的玻璃渗透深度,对玻璃进行裂片后再运用激光剥离技术将显示面板剥离下来,这种切割方式需要利用激光进行多次切割和裂片,加大了激光器的损耗,成本较高,耗时较多,且裂片有失败的风险,对小片区域进行激光剥离的效率很低;第二种则是先进行激光剥离,再将柔性面板贴合背板后进行切割,但这种切割方式需要对大片的柔性显示面板进行背板贴合,难度很高,且后续的柔性切割需要较高精度的切割平台。综上可以看出,这两种切割方式工序复杂且精度较低。
发明内容
本发明的目的在于提供一种切割方法,提高切割柔性显示组件的效率和精度。
本发明所述切割方法,用于切割柔性显示组件,包括:
提供柔性显示组件,所述柔性显示组件包括玻璃基板、形成于所述玻璃基板上的柔性基底和形成于所述柔性基底背离所述玻璃基板的表面的柔性显示面板,所述柔性显示组件上预设有切割路径;
沿所述切割路径切断所述柔性显示面板和所述柔性基底;
翻转所述柔性显示组件;
将形成有所述柔性显示面板的柔性基底从所述玻璃基板上剥离。
其中,在沿所述切割路径切断所述柔性显示面板和所述柔性基底的步骤中,沿所述切割路径一次性切断所述柔性显示面板和所述柔性基底。
其中,在沿所述切割路径切断所述柔性显示面板和所述柔性基底的步骤中,切割深度为所述柔性显示面板到柔性基底与所述玻璃基板接触面的距离。
其中,在沿所述切割路径切断所述柔性显示面板和所述柔性基底的步骤中,采用激光发生器发射的激光沿所述切割路径切断所述柔性显示面板和所述柔性基底。
其中,沿所述切割路径切断所述柔性显示面板和所述柔性基底步骤中,将所述柔性显示组件通过真空吸附固定于切割平台上。
其中,所述激光发生器包括超短脉冲激光器、气体激光器、二氧化碳激光器或飞秒光纤激光器。
其中,在翻转所述柔性显示组件的步骤中,采用翻转装置翻转所述柔性显示组件。
其中,在翻转所述柔性显示组件的步骤中,采用翻转装置翻转所述柔性显示组件后,再采用传送装置将所述柔性显示组件传送至激光剥离平台。
其中,在将形成有所述柔性显示面板的柔性基底从所述玻璃基板上剥离的步骤中,采用激光剥离技术从所述柔性显示组件上剥离形成有所述柔性显示面板的柔性基底。
其中,所述柔性基底由聚酰亚胺制成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司,未经武汉华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711156238.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造