[发明专利]一种印章及其制备方法与量子点转印方法

权利要求书

1.一种印章的制备方法，其特征在于，包括步骤：

提供初始态的形状记忆聚合物嵌入体，所述初始态的形状记忆聚合物嵌入体的下端具有凸起；

将所述下端具有凸起的初始态的形状记忆聚合物嵌入体制成下端为平整表面的变形态的形状记忆聚合物嵌入体；

制备具有凹形坑的印章底部；

将所述变形态的形状记忆聚合物嵌入体嵌入所述印章底部的凹形坑中；

在含形状记忆聚合物嵌入体的印章底部上端制备印章基底，得到印章。

2.根据权利要求1所述的印章的制备方法，其特征在于，所述形状记忆聚合物嵌入体由形状记忆聚合物组成，所述形状记忆聚合物为热致型形状记忆聚合物。

3.根据权利要求2所述的印章的制备方法，其特征在于，所述热致型形状记忆聚合物为聚氨酯型形状记忆聚合物、苯乙烯-丁二烯共聚物或环氧树脂基形状记忆聚合物。

4.根据权利要求1所述的印章的制备方法，其特征在于，所述初始态的形状记忆聚合物嵌入体的制备方法，包括步骤：

将形状记忆聚合物前体、固化剂与溶剂混合均匀，得到前体溶液；

将所述前体溶液加入到制备初始态的形状记忆聚合物嵌入体的模具中，加热使所述前体溶液固化，固化后与所述制备初始态的形状记忆聚合物嵌入体的模具分离，得到初始态的形状记忆聚合物嵌入体。

5.根据权利要求1所述的印章的制备方法，其特征在于，将所述下端具有凸起的初始态的形状记忆聚合物嵌入体制成下端为平整表面的变形态的形状记忆聚合物嵌入体的步骤，包括：

将所述下端具有凸起的初始态的形状记忆聚合物嵌入体放入模具中，在加热条件下对所述初始态的形状记忆聚合物嵌入体进行加压处理，使得所述初始态的形状记忆聚合物嵌入体的下端变形至平整表面，然后保持压力，冷却后得到下端为平整表面的变形态的形状记忆聚合物嵌入体。

6.根据权利要求1所述的印章的制备方法，其特征在于，所述印章底部和印章基底的材料均为聚二甲基硅氧烷。

7.一种印章，其特征在于，所述印章采用如权利要求1~6任一项所述的制备方法制备而成。

8.一种量子点的转印方法，其特征在于，包括步骤：

提供权利要求7所述印章，当所述印章中的形状记忆聚合物嵌入体处于变形态时，所述印章的下端为平整表面；

将下端为平整表面的所述印章与供体基底上的量子点薄膜接触，使量子点薄膜转印到所述印章的下端平整表面上；

将印章中具有量子点薄膜的下端平整表面与目标基底接触，然后对所述印章进行加热处理，使所述印章中的形状记忆聚合物嵌入体回至初始态，所述下端为平整表面的印章回至下端具有凸起的印章，从而使量子点薄膜转印到目标基底上。

9.根据权利要求8所述的量子点的转印方法，其特征在于，当所述印章中的形状记忆聚合物嵌入体处于初始态时，所述印章的下端具有凸起，对所述印章进行加压处理，使所述印章中的形状记忆聚合物嵌入体处于变形态，所述下端具有凸起的印章变形至下端为平整表面的印章。

10.根据权利要求8所述的量子点的转印方法，其特征在于，所述加热处理的加热温度处于形状记忆聚合物的T_g与T_f之间，且处于形状记忆聚合物的T_g与150摄氏度之间；所述T_g是指形状记忆聚合物的玻璃化转变温度；所述T_f是指形状记忆聚合物的粘流温度。