[发明专利]一种印章及其制备方法与量子点转印方法

说明书

本发明公开一种印章及其制备方法与量子点转印方法，方法包括步骤：提供初始态的形状记忆聚合物嵌入体，所述初始态的形状记忆聚合物嵌入体的下端具有凸起；将所述下端具有凸起的初始态的形状记忆聚合物嵌入体制成下端为平整表面的变形态的形状记忆聚合物嵌入体；制备具有凹形坑的印章底部；将所述变形态的形状记忆聚合物嵌入体嵌入所述印章底部的凹形坑中；在含形状记忆聚合物嵌入体的印章底部上端制备印章基底，得到印章。本发明将形状记忆聚合物嵌入印章底部中，利用低表面能的印章底部作为印章表面，制备印章。本发明能有效提高第二步转印过程的转印效率，提高图案完整性。所制备的印章可以重复使用。

技术领域

本发明涉及量子点转印技术领域，尤其涉及一种印章及其制备方法与量子点转印方法。

背景技术

量子点具有发光颜色易于调节、色彩饱和度高、可溶液加工、高稳定性等诸多优点，量子点发光被视为下一代显示技术的有力竞争者。在制备量子点薄膜时，旋涂法是最快捷简便且成膜质量好的溶液加工方式，但一般只能用于制备单色发光器件，而在制造全彩发光器件时，必须制备出图案化量子点薄膜。目前，图案化量子点的方法主要有喷墨打印、转印等方式。

常规的转印过程通常是利用粘弹性体印章作为转移载体，利用动力学控制实现转印。转印过程具体包括两步，第一步是将量子点图案从供体基底转印到印章，第二步是将量子点图案从印章转印到目标基底。通常第二步的转印过程完全依赖于量子点薄膜与印章的粘附能小于量子点薄膜与目标基底的粘附能，然而由于两种界面的粘附能相差不大，接触面积(等同于图案大小)相同，因此，最后得到的图案经常会有缺损、不完整。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种印章及其制备方法与量子点转印方法，旨在解决现有转印方法得到的图案会有缺损、不完整的问题。

本发明的技术方案如下：

一种印章的制备方法，其中，包括步骤：

提供初始态的形状记忆聚合物嵌入体，所述初始态的形状记忆聚合物嵌入体的下端具有凸起；将所述下端具有凸起的初始态的形状记忆聚合物嵌入体制成下端为平整表面的变形态的形状记忆聚合物嵌入体；

制备具有凹形坑的印章底部；

将所述变形态的形状记忆聚合物嵌入体嵌入所述印章底部的凹形坑中；

在含形状记忆聚合物嵌入体的印章底部上端制备印章基底，得到印章。

所述的印章的制备方法，其中，所述形状记忆聚合物嵌入体由形状记忆聚合物组成，所述形状记忆聚合物为热致型形状记忆聚合物。

所述的印章的制备方法，其中，所述热致型形状记忆聚合物为聚氨酯型形状记忆聚合物、苯乙烯-丁二烯共聚物或环氧树脂基形状记忆聚合物。

所述的印章的制备方法，其中，所述初始态的形状记忆聚合物嵌入体的制备方法，包括步骤：

将形状记忆聚合物前体、固化剂与溶剂混合均匀，得到前体溶液；

将所述前体溶液加入到制备初始态的形状记忆聚合物嵌入体的模具中，加热使所述前体溶液固化，固化后与所述制备初始态的形状记忆聚合物嵌入体的模具分离，得到初始态的形状记忆聚合物嵌入体。

所述的印章的制备方法，其中，将所述下端具有凸起的初始态的形状记忆聚合物嵌入体制成下端为平整表面的变形态的形状记忆聚合物嵌入体的步骤，包括：

将所述下端具有凸起的初始态的形状记忆聚合物嵌入体放入模具中，在加热条件下对所述初始态的形状记忆聚合物嵌入体进行加压处理，使得所述初始态的形状记忆聚合物嵌入体的下端变形至平整表面，然后保持压力，冷却后得到下端为平整表面的变形态的形状记忆聚合物嵌入体。