[发明专利]一种多通道光纤阵列及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及通信技术领域，尤其涉及一种多通道光纤阵列及其制作方法。

背景技术

随着通信技术及其业务的飞速发展，大容量光纤通信系统的研究具有很大的应用价值。光纤阵列广泛应用于光分路器等产品中，使用不同通道的光分路器芯片和光纤，即可制作出相应的1:4、1:8、1:16、1:32等不同分支比的光分路器。

12-13年光纤到户市场其中时，曾经引发了无数无源器件的一个小高潮，但随着市场的回落，光纤阵列器件厂家一度难以维持，举步维艰。从15年起步，40G/100G光器件的需求开始增长，光纤阵列似乎又迎来了新一轮的春天。

目前，一般采用多芯光纤带，配合全石英材质刻有V槽的阵列基板，组装成为连接光器件和光纤之间的光纤阵列。用于光分路器的光纤阵列一般要求光纤阵列与端面齐平，与光分路器件水平耦合，采用普通的研磨工艺即可达到。但用于40G/100G有源产品的光纤阵列，主要用于激光器、探测器等与光纤之间的耦合，由于水平耦合方式插入损耗、模式转换损耗较大，耦合效率低，故绝大部分要求采用垂直耦合，解决从直径数十微米的光纤到百纳米的光波导结构的低损耗光传输问题，能实现高耦合效率。垂直耦合对光纤的入射角要求苛刻，对耦合系统的稳定性要求也非常高，如将光纤弯曲易对光纤产生一定损害，给使用过程带来隐患，因此，提供一种能与光分路器件垂直耦合的光纤阵列，是目前实际应用中需要解决的问题。

发明内容

为解决上述目前40G/100G有源产品的光纤阵列，要求光纤阵列与有源器件垂直耦合的问题，一方面，本发明提供了一种多通道光纤阵列，包括：MPO连接器和多个光纤阵列；每个光纤阵列由多条单模光纤和第一盖板组成，每条单模光纤一端卡在MPO连接器的芯孔中形成MPO连接器的耦合端，另一端卡在光纤阵列的下基板的V槽中形成光纤阵列的耦合端；第一盖板与光纤阵列的上基板的上表面粘结；光纤阵列的耦合端与上基板的上表面有预设夹角；上基板的上表面第一边与第一盖板的下表面第一边平行且有预设相距距离，第一盖板的下表面第一边为平行且靠近光纤阵列的耦合端的一边，上基板的上表面第一边为平行且靠近第一盖板的下表面第一边的一边。

优选地，每2个光纤阵列互为发送端和接收端，发送端的预设夹角为40.5°-41.5°，接收端的预设夹角为44.5°-45.5°。

优选地，MPO连接器的耦合端与MPO连接器的上表面夹角为81.5°-82.5°。

优选地，MPO连接器的耦合端和光纤阵列的耦合端分别与不同的有源器件耦合连接。

优选地，发送端的耦合端与MPO连接器的耦合端距离为41.3mm-43.3mm；接收端的耦合端与MPO连接器的耦合端距离为59.5mm-61.5mm。

优选地，单模光纤的数量等于V槽的槽道数量，且每个V槽的槽道固定一个单模光纤，单模光纤卡在光纤阵列或MPO连接器中的部分为剥去涂覆层的裸光纤。

优选地，本多通道光纤阵列还包括：第二盖板，第一盖板与上基板的上表面粘结处用紫外固化胶水固定，第二盖板和第一盖板水平对齐设置，第二盖板靠近光纤阵列的耦合端；第二盖板与上基板的上表面通过石蜡粘结，第二盖板长度大于上基板的上表面第一边与第一盖板的下表面的第一边的预设相距距离。

另一方面，本发明还提供了一种多通道光纤阵列的制作方法，包括：

S1、将每条单模光纤一端卡在MPO连接器的芯孔中形成MPO连接器的耦合端，另一端卡在光纤阵列的下基板的V槽中形成光纤阵列的耦合端；

S2、将第一盖板与光纤阵列的上基板的上表面粘结；

S3、光纤阵列的耦合端与上基板的上表面有预设夹角；

S4、上基板的上表面第一边与第一盖板的下表面第一边平行且有预设相距距离，第一盖板的下表面第一边为平行且靠近光纤阵列的耦合端的一边，上基板的上表面第一边为平行且靠近第一盖板的下表面第一边的一边。

优选地，步骤S2和步骤S3之间还包括：

将第二盖板用加热至100°-110°的石蜡粘接在上基板的上表面，第二盖板与第一盖板水平对齐设置，第二盖板靠近光纤阵列的耦合端；

分别将所述MPO连接器的耦合端和所述光纤阵列的耦合端研磨和抛光。

优选地，步骤S3和步骤S4之间还包括：

将光纤阵列的耦合端浸入清洗液并加热至100°-110°。