[发明专利]磁传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种磁传感器，其中，

包括：

磁场检测元件，检测第一方向上的磁场；和

第一磁轭，位于所述磁场检测元件附近并且在正交于所述第一方向的第二方向上延伸，

其中，所述第一磁轭包括：定位为至少在所述第一方向上远离所述磁场检测元件的第一部分，和定位为在所述第二方向上比所述第一部分更远离所述磁场检测元件的第二部分，并且

所述第二部分具有和其与所述第一部分的界面相反的表面，所述表面具有在远离所述第一部分的方向上突出的弯曲形状。

2.根据权利要求1所述的磁传感器，其中，

所述第一部分在所述第一方向上的宽度朝向所述第二部分单调递增。

3.根据权利要求1所述的磁传感器，其中，

所述第二部分在所述第二方向上的最大高度为介于所述第一部分与所述第二部分之间的界面在所述第一方向上的宽度的约1/4以上且约1/2以下。

4.根据权利要求1所述的磁传感器，其中，

所述第一磁轭包括位于相对于所述第一部分与所述第二部分相反的一侧上的第三部分，并且

所述第三部分在所述第一方向上面向所述磁场检测元件。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的磁传感器，其中，

所述磁场检测元件包括磁场感测膜和向所述磁场感测膜提供感测电流的导线对，

所述第一方向与所述磁场感测膜的膜厚度方向正交，

所述第二方向平行于所述膜厚度方向，

所述磁场感测膜检测所述第一方向上的磁场，并且

所述导线对在所述第二方向上夹着所述磁场感测膜。

6.根据权利要求5所述的磁传感器，其中，

还包括：

第二磁轭，其位于相对于所述磁场感测膜与所述第一磁轭相反的一侧上，并且所述第二磁轭位于将所述第一磁轭的中心连接至所述磁场感测膜的中心的直线的延长线上。

7.一种制造磁传感器的方法，其中，

包括以下步骤：

形成检测第一方向上的磁场的磁场检测元件的步骤；

形成在正交于所述第一方向的第二方向上覆盖所述磁场检测元件的抗蚀剂的步骤；

在所述抗蚀剂中，在所述第一方向上远离所述磁场检测元件的位置处形成孔的步骤，所述孔在所述第二方向上从所述抗蚀剂的上表面延伸；

通过镀敷的方式在所述抗蚀剂的孔内和上方形成磁轭的步骤；以及

除去所述抗蚀剂的步骤。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，

所述磁轭包括形成在所述孔中的第一部分和形成在所述孔上方的第二部分，并且

所述第二部分具有从其与所述第一部分的界面向上弯曲的形状。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，

所述第二部分在所述第二方向上的最大高度为介于所述第一部分与所述第二部分之间的界面在所述第一方向上的宽度的约1/4以上且约1/2以下。