[发明专利]磁传感器及其制造方法

说明书

本发明提供一种具有能够实现较大磁通密度并且可以精确地形成的磁轭的磁传感器。磁传感器包括检测第一方向(X)上的磁场的磁场检测元件(21)和位于磁场检测元件(21)附近并在正交于第一方向(X)的第二方向(Z)上延伸的第一磁轭(23)。第一磁轭(23)包括定位为至少在第一方向(X)上远离磁场检测元件(21)的第一部分(23a)和定位为在第二方向(Z)上比第一部分(23a)更远离磁场检测元件(21)的第二部分(23b)。第二部分(23b)具有和其与第一部分(23a)的界面(23d)相反的表面(23f)，表面(23f)具有在远离第一部分(23a)的方向上突出的弯曲形状。

技术领域

本发明涉及一种磁传感器及其制造方法，具体地，涉及磁传感器的磁轭的构造。

背景技术

为了在磁场感测膜的磁场感测方向上引导磁通，磁传感器可以在磁场感测膜附近设置有磁轭。WO2009/151023公开了一种磁传感器，其包括检测第一方向上的磁场的磁场感测膜和在第一方向上面向磁场感测膜的磁轭。磁轭具有在第一方向上朝向磁场感测膜突出的端部，并且在第一方向上引导磁通。JP2013-172040A公开了一种磁传感器，其中，在正交于磁场感测膜的磁场感测方向的方向(以下称为第二方向)上延伸的磁轭被布置为与磁场感测膜相邻。

发明内容

WO2009/151023中公开的磁传感器中，磁轭在第一方向(横向方向)上延伸，因此为了安置磁轭在第一方向上需要较大的区域。为了限制用于布置磁轭的区域，期望以JP2013-172040A中公开的方式来设置在正交于磁场感测膜的磁场感测方向的第二方向(竖直方向)上延伸的磁轭。然而，在这种情况下，为了增大在竖直方向上布置的磁轭的磁通密度，需要增大磁轭的高度或磁轭在第二方向上的尺寸。由于磁轭是通过在晶圆工艺中通过镀敷的方式形成的，所以需要在抗蚀剂的深孔中形成镀敷。然而，这样的镀敷工艺在确保镀敷形成的精度方面是不利的。

本发明的一个目的在于提供一种磁传感器，其具有可以实现较大磁通密度并且可以被精确地形成的磁轭。

磁传感器包括：磁场检测元件，其检测第一方向上的磁场；和第一磁轭，其位于磁场检测元件附近并且在正交于第一方向的第二方向上延伸。第一磁轭包括：第一部分，其定位为至少在第一方向上远离磁场检测元件；和第二部分，其定位为在第二方向上比第一部分更远离磁场检测元件。第二部分具有和其与第一部分的界面相反的表面，该表面具有在远离第一部分的方向上突出的弯曲形状。

一种制造磁传感器的方法包括以下步骤：形成检测第一方向上的磁场的磁场检测元件的步骤；形成在正交于第一方向的第二方向上覆盖磁场检测元件的抗蚀剂的步骤；在抗蚀剂中在第一方向上远离磁场检测元件的位置处形成孔的步骤，该孔在第二方向上从抗蚀剂的上表面延伸；通过镀敷的方式在抗蚀剂的孔内和上方形成磁轭的步骤；以及去除抗蚀剂的步骤。

根据本发明的磁传感器，第二部分具有在远离第一部分的方向上突出的具有弯曲形状的表面。本发明的磁传感器的制造方法包括通过镀敷的方式在抗蚀剂的孔上方形成磁轭的步骤，使得能够形成具有超过抗蚀剂的孔的深度的高度的磁轭。因此，本发明可以提供具有可以实现较大磁通密度并且可以精确地形成的磁轭的磁传感器。

附图说明

图1是表示根据本发明的第一实施方式的磁传感器的局部截面图；

图2A、图2B是仅示出图1中的磁轭和磁场检测元件的图；

图3是示出第一和第二磁场检测元件的构造的示意图；

图4A～图7B是示出图1中的磁传感器的制造过程的图；

图8是类似于图2A和图2B示出根据本发明的第二实施例的磁传感器的图；

图9A至图9C分别是比较例1、2和实施例中的模拟磁场的结果；以及

图10A至图10C分别是图9A至图9C的局部放大图。