[发明专利]可调光滤波器及其制造方法以及可调光滤波器组件有效
申请号: | 201711160529.X | 申请日: | 2017-11-20 |
公开(公告)号: | CN109814281B | 公开(公告)日: | 2023-10-27 |
发明(设计)人: | 张丽;吴邦嘉;李惠萍 | 申请(专利权)人: | 菲尼萨公司 |
主分类号: | G02F1/00 | 分类号: | G02F1/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 陈炜;杨林森 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 调光 滤波器 及其 制造 方法 以及 组件 | ||
1.一种制造可调光滤波器的方法,包括:
将硅晶片减薄到特定厚度,其中所述特定厚度基于所述可调光滤波器的通带频谱;
使用光学涂层来覆盖所述硅晶片的表面,其中所述光学涂层被配置成对光信号进行滤波并且基于所述通带频谱进行配置;
在涂覆的硅晶片上沉积多个热调谐部件,其中所述多个热调谐部件被配置成通过调节涂覆的硅晶片的温度来调节所述可调光滤波器的通带频率范围,其中所述通带频率范围在所述通带频谱内;以及
将涂覆的硅晶片分成多个硅晶片管芯,其中每个硅晶片管芯包括多个热调谐部件并且被配置作为所述可调光滤波器。
2.根据权利要求1所述的方法,还包括:在使用所述光学涂层来覆盖所述硅晶片的所述表面之前并且在将所述硅晶片减薄之后,对所述硅晶片的所述表面进行抛光。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,在涂覆的硅晶片上沉积所述多个热调谐部件包括在涂覆的硅晶片上沉积多个环加热器,其中所述环加热器被配置成调节涂覆的硅晶片的温度。
4.根据权利要求3所述的方法,其中,在涂覆的硅晶片上沉积所述多个热调谐部件还包括在涂覆的硅晶片上沉积多个热接触垫,其中所述热接触垫电耦接至所述环加热器中的一个或更多个环加热器并且被配置成接收电信号并将所述电信号提供给所述环加热器,其中,所述环加热器被配置成基于所述电信号来调节涂覆的硅晶片的温度。
5.根据权利要求4所述的方法,其中,在涂覆的硅晶片上沉积所述多个热调谐部件还包括将多个热敏电阻器与涂覆的硅晶片集成,其中,所述热敏电阻器被配置成监测涂覆的硅晶片的温度,并且所述电信号基于涂覆的硅晶片的温度来修改。
6.根据权利要求1所述的方法,其中,将涂覆的硅晶片分成所述多个硅晶片管芯使得每个硅晶片管芯包括环加热器、热敏电阻器和热接触垫。
7.根据权利要求1所述的方法,还包括:在使用所述光学涂层覆盖所述硅晶片的所述表面之前并且在将所述硅晶片减薄之后,测量所述硅晶片以确保所述表面的平行。
8.根据权利要求1所述的方法,还包括:以将硅晶片管芯与基板热隔离的方式将所述硅晶片管芯耦接至所述基板。
9.一种系统,包括:
可调光滤波器,所述可调光滤波器包括:
硅晶片管芯,所述硅晶片管芯的厚度基于所述可调光滤波器的通带频谱;
光学涂层,所述光学涂层被设置在所述硅晶片管芯的第一表面上,其中所述光学涂层被配置成对光信号进行滤波并且基于所述通带频谱进行配置;
环加热器,所述环加热器与所述硅晶片管芯集成并且被配置成基于电信号来调节所述硅晶片管芯的温度,以调节所述可调光滤波器的通带频率范围,其中所述通带频率范围在所述通带频谱内;
热接触垫,所述热接触垫与所述硅晶片管芯集成并耦接至所述环加热器,并且所述热接触垫被配置成接收所述电信号并将所述电信号传递至所述环加热器;及
热敏电阻器,所述热敏电阻器与所述硅晶片管芯集成并且被配置成监测所述硅晶片管芯的温度,其中基于监测的温度来修改所述电信号;以及
基板,所述基板与所述硅晶片管芯热隔离并且包括电耦接至所述热接触垫的信号迹线,其中所述信号迹线被配置成承载所述电信号。
10.根据权利要求9所述的系统,其中,所述硅晶片管芯被定位成平行于所述基板,并且所述基板还耦接至所述热敏电阻器,以在所述硅晶片管芯和所述基板之间产生气隙,以便将所述硅晶片管芯与所述基板热隔离。
11.根据权利要求10所述的系统,其中,所述热接触垫位于所述硅晶片管芯的与所述硅晶片管芯的第一表面相对的第二表面上,所述热敏电阻器位于所述硅晶片管芯的第一表面上,并且所述环加热器也位于所述硅晶片管芯的第二表面上。
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