[发明专利]高频电子介质材料的制备方法

权利要求书

1.一种高频电子介质材料的制备方法，其特征在于，所述高频电子介质材料由胶液涂覆增强材料后热压制成；所述胶液的制备方法为：

(1)将三苯基氯硅烷分散于去离子水中，然后加入二乙基镁与2-乙基-1-己醇钛；然后于120℃下水热反应3小时；然后过滤反应液，滤饼烘干后于600℃煅烧1小时，自然冷却后再于950℃烧结2小时，得到的粉末加入乙醇中，分散均匀后再加入聚氧乙烯山梨醇酐单油酸酯，于60℃搅拌2小时，最后烘干得到填料；将填料加入邻苯二甲酸二缩水甘油酯中，125℃搅拌1小时，得到活性填料；

(2)混合环戊二烯基三羰基铁与氰酸酯单体，95℃搅拌10分钟后依次加入胺基化合物、脂肪族缩水甘油醚，于120℃搅拌1小时，然后加入邻苯二甲酸二丙烯酯，于120℃搅拌0.5小时，冷却后得到树脂预聚物；然后将树脂预聚物加入丁酮中，搅拌1小时；加入活性填料与丙烯腈；再加入PMA与二烯丙基二苯醚，继续搅拌2.5小时，得到胶液；所述胶液的固含量为60～65％；

所述氰酸酯单体的分子结构式为：

所述胺基化合物的分子结构式为：

所述脂肪族缩水甘油醚的分子结构式为：

2.根据权利要求1所述高频电子介质材料的制备方法，其特征在于：所述填料的粒径为450nm～680nm；所述三苯基氯硅烷、二乙基镁与2-乙基-1-己醇钛、聚氧乙烯山梨醇酐单油酸酯的质量比为1∶0.5∶0.02∶0.01；所述填料与邻苯二甲酸二缩水甘油酯的质量比为1∶1.6。

3.根据权利要求1所述高频电子介质材料的制备方法，其特征在于：所述环戊二烯基三羰基铁、氰酸酯单体、胺基化合物、脂肪族缩水甘油醚、邻苯二甲酸二丙烯酯的质量比为0.0001～0.0003∶1∶0.1～0.18∶0.81～0.95∶0.08～0.09；树脂预聚物、活性填料、丙烯腈、二烯丙基二苯醚的质量比为1∶0.61～0.73∶0.06～0.08∶0.11～0.15。

4.根据权利要求1所述高频电子介质材料的制备方法，其特征在于：所述增强材料为电子级玻璃纤维布。

5.根据权利要求1所述高频电子介质材料的制备方法，其特征在于：热压的条件采用逐步升温和升压的方式，10min温度从50℃升到180℃，保持60min，然后10min升到200℃保持90min，然后5min升到230℃保持90min，最后180min冷却到50℃；1min压力从0Kg/cm2升到15Kg/cm2，然后保压45min，然后1min升到20Kg/cm2保压50min，最后1min升到35Kg/cm2，保压200min。

6.根据权利要求1所述高频电子介质材料的制备方法，其特征在于：所述高频电子介质材料的有机物含量为68～72％。