[发明专利]一种用于3DNAND闪存的台阶结构成形工艺

权利要求书

1.一种用于3D NAND闪存的台阶结构成形工艺，其特征在于，所述工艺包括如下步骤：

提供一个衬底堆叠结构；

沉积形成第一掩膜层，通过光刻工艺形成掩膜图案；

竖直向下刻蚀形成第1级台阶，

沉积形成第二掩膜层，所述第二掩膜层包括三部分，第一部分在第一掩膜层上方，第二部分在刻蚀掉第1级台阶后的剩余堆叠层上表面，第三部分为连接第一部分和第二部分而形成于第1级台阶外侧的侧墙掩膜；

竖直向下刻蚀第二掩膜层，直至露出所述剩余堆叠层上表面，且所述侧墙掩膜的厚度等于设计的每级台阶面的宽度；

竖直向下刻蚀形成第2级台阶，

重复沉积形成第二掩膜层、竖直向下刻蚀第二掩膜层和竖直向下刻蚀形成第2级台阶的步骤，形成第3至第N级台阶。

2.如权利要求1所述的台阶结构成形工艺，其特征在于，所述第一掩膜层的材料为无定型碳。

3.如权利要求1所述的台阶结构成形工艺，其特征在于，所述第二掩膜层的材料为无定型碳。

4.如权利要求1-3任意一项所述的台阶结构成形工艺，其特征在于，所述第二掩膜层的材料为氧化硅。

5.如权利要求1-3任意一项所述的台阶结构成形工艺，其特征在于，所述衬底堆叠结构为在衬底上氧化硅和氮化硅交错堆叠的薄膜堆叠结构。

6.如权利要求5所述的台阶结构成形工艺，其特征在于，所述台阶每一级包括一层氧化硅层和相邻的氮化硅层。