[发明专利]用于晶圆清洗的化学液喷淋管及清洗装置

说明书

技术领域

本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种用于晶圆清洗的化学液喷淋管及清洗装置。

背景技术

湿法刻蚀是利用溶液和薄膜进行化学反应来去除需要刻蚀的部分而达到刻蚀的目的。现有的湿法工艺中，晶圆在单机台的清洗过程中采用的化学液喷淋管一般都为单喷嘴。如图1所示，在晶圆清洗过程中，化学液从喷淋管的单喷嘴进行喷出，晶圆绕自身中轴线做旋转运动且喷淋管的喷嘴沿晶圆表面做往复式直线运动，从而完成对晶圆表面的清洗均匀。为达到晶圆表面较好的清洗效果，以满足晶圆的刻蚀均匀性，需要不断调整晶圆的旋转速度和喷嘴的移动速度，控制过程较为复杂。

发明内容

本发明的目的是为了解决上述存在的至少一个问题，该目的是通过以下技术方案实现的。

本发明提出了一种用于晶圆清洗的化学液喷淋管，其中包括管体和多个喷嘴，所述管体内部设有用于化学液流动的通道，多个所述喷嘴共同连通于所述管体的内部通道，且多个所述喷嘴沿所述管体的中轴线方向依次设置在所述管体的外周面上，当待清洗的晶圆绕自身中轴线进行转动时，所述管体内部的化学液能够从多个所述喷嘴喷出并在所述晶圆的表面形成环形区域。

进一步地，多个所述喷嘴沿同一条平行于所述管体的中轴线的直线间隔设置在所述管体的外周面上。

进一步地，所述管体内还设有线加热器和温度调节单元，所述线加热器用于调节所述管体内的化学液，所述线加热器的外表面上设有防化学液腐蚀的涂层，所述温度调节单元用于调节所述线加热器的温度。

本发明还提出了一种清洗装置，其中包括上述任一项所述的用于晶圆清洗的化学液喷淋管。

进一步地，所述化学液喷淋管设于待清洗晶圆的上方，且所述管体的中轴线平行与所述晶圆的上表面，多个所述喷嘴设于所述管体的底部且垂直于所述晶圆的上表面。

进一步地，所述喷嘴距所述晶圆的上表面的距离设定为使得从相邻两个所述喷嘴喷出的化学液能够在所述晶圆的上表面交汇。

进一步地，所述喷嘴的数量设定为使得当所述晶圆绕自身中轴线转动时从多个所述喷嘴喷出的化学液能够覆盖所述晶圆的上表面从圆心位置至晶圆边缘的圆形区域。

进一步地，所述圆形区域的半径为150mm。

进一步地，还包括离子发生器和导电装置，所述离子发生器和所述导电装置用于去除刻蚀过程中产生的静电。

通过使用本发明所述的用于晶圆清洗的化学液喷淋管及清洗装置，通过在化学液喷淋管的底部设置多个喷嘴，能够在晶圆转动过程中将化学液均匀的喷射到晶圆表面，完成清洗，从而使晶圆能够达到较好的刻蚀均匀性。

附图说明

通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本发明的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：

图1为现有技术中单喷嘴化学液喷淋管与晶圆的位置关系结构示意图；

图2为本发明实施例中化学液喷淋管与晶圆的位置关系结构示意图。

附图中各标记表示如下：

10′：单喷嘴化学液喷淋管、10：化学液喷淋管、11：管体、12：喷嘴、13：线加热器；

20：晶圆。

具体实施方式

下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施方式。虽然附图中显示了本公开的示例性实施方式，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。

图2为本发明实施例中化学液喷淋管10与晶圆20的位置关系结构示意图。如图2所示，本实施例中的清洗装置包括化学液喷淋管10。化学液喷淋管10包括管体11和多个喷嘴12，管体11内部设有用于化学液流动的通道，多个喷嘴12共同连通于管体11的内部通道，且多个喷嘴12沿管体11的中轴线方向依次设置在管体11的外周面上，当待刻蚀的晶圆20绕自身中轴线进行转动时，管体11内部的化学液能够通过多个喷嘴12进行喷出并在晶圆20的表面形成环形区域。

其中，管体11上的喷嘴12沿同一条平行于管体11的中轴线的直线间隔设置在管体11的外周面上。

进一步地，管体11内还设有线加热器13和温度调节单元。线加热器13用于调节管体11内的化学液，线加热器13的外表面上设有防化学液腐蚀的涂层，温度调节单元用于调节线加热器13的温度。