[发明专利]晶体管

权利要求书

1.一种晶体管，包括：

一基板，具有第一掺杂型态；

一通道层，位于该基板上且包含一第一部分与一第二部分，其中该通道层包括一第一材料；

一有源层，位于该通道层上，其中该有源层包括一第二材料，且该第二材料与该第一材料不同；以及

一隔离结构，包含一水平部分、一第一垂直部分、与一第二垂直部分，其中该水平部分配置于该通道层的该第二部分下，且连续地延伸于该第一垂直部分与该第二垂直部分之间，其中该隔离结构具有第二掺杂型态，且第二掺杂型态不同于第一掺杂型态。

2.如权利要求1所述的晶体管，其中一第一接点与一第二接点延伸穿过该通道层与该有源层，以分别接触该第一垂直部分与该第二垂直部分。

3.如权利要求1所述的晶体管，其中该通道层的最顶部的表面接触该有源层的最底部的表面。

4.如权利要求1所述的晶体管，其中该隔离结构的第一垂直部分分隔该通道层的第一部分与第二部分。

5.如权利要求1所述的晶体管，其中一第一接点与一第二接点位于该通道层与该有源层中，其中该第一接点配置于该隔离结构的第一垂直部分上，而该第二接点配置于该隔离结构的第二垂直部分上。

6.如权利要求1所述的晶体管，其中该第二材料包括IIIA族-VA族材料，且该第一材料与该第二材料的能带隙不同。

7.如权利要求1所述的晶体管，其中该隔离结构的上表面低于该通道层的上表面。

8.一种晶体管，包括：

一多层基板，具有一第一基板层与配置于该第一基板层上的一第二基板层，其中该多层基板具有一第一掺杂型态；

一通道层，位于该第二基板层上，且具有第一部分与第二部分，其中该通道层包含氮化镓；

一有源层，位于该通道层上，其中该有源层包含氮化铝镓；以及

一隔离结构，包含一水平部分、一第一垂直部分、与一第二垂直部分，其中该水平部分配置于该通道层的第二部分下的该第一基板层中，其中该水平部分连续地延伸于该第一垂直部分与该第二垂直部分之间，该隔离结构具有一第二掺杂型态，且该第二掺杂型态不同于该第一掺杂型态。

9.如权利要求8所述的晶体管，其中该多层基板的一部分延伸于该水平部分上的该第一垂直部分与该第二垂直部分之间。

10.如权利要求8所述的晶体管，其中该第一垂直部分分隔该通道层的第一部分与第二部分。

11.如权利要求8所述的晶体管，其中一第一接点与一第二接点位于该通道层与该有源层中，其中该第一接点配置于该第一垂直部分上，且该第二接点配置于该第二垂直部分上。

12.如权利要求8所述的晶体管，其中该第一掺杂型态为p型，而该第二掺杂型态为n型。

13.如权利要求12所述的晶体管，其中该第一掺杂型态的p型材料为碳化硅、硅、或蓝宝石。

14.如权利要求11所述的晶体管，其中该第一接点的侧壁对准该第一垂直部分的侧壁，而该第二接点的侧壁对准该第二垂直部分的侧壁。