[发明专利]晶体管

说明书

本发明实施例提供用于有源装置的隔离结构。在一些实施例中，隔离结构用于晶体管中。晶体管包含基板，其具有第一掺杂型态。晶体管还包含通道层于基板上，且通道层包含第一部分与第二部分。晶体管还包含有源层于通道层上。隔离结构包含水平部分、第一垂直部分、与第二垂直部分。水平部分配置于通道层的第二部分下，且连续地延伸于第一垂直部分与第二垂直部分之间。隔离结构具有第二掺杂型态，且第二掺杂型态不同于第一掺杂型态。

技术领域

本发明实施例涉及晶体管，更特别涉及晶体管的隔离结构。

背景技术

硅为主的半导体装置如晶体管与光二极管，已成为过去三十年的标准。然而其他材料为主的半导体装置受到的关注日增。举例来说，氮化镓为主的半导体装置可泛用于高功率应用。这是因为氮化镓的高电子移动率与低温度数，使其可承载大电流并承受高电压。

发明内容

本发明一实施例提供的晶体管，包括：基板，具有第一掺杂型态；通道层，位于基板上且包含第一部分与第二部分；有源层，位于通道层上；以及隔离结构，包含水平部分、第一垂直部分、与第二垂直部分，其中水平部分配置于通道区的第二部分下，且连续地延伸于第一垂直部分与该第二垂直部分之间，其中隔离结构具有第二掺杂型态，且第二掺杂型态不同于第一掺杂型态。

附图说明

图1为一些实施例中，用于有源装置的隔离结构其剖视图。

图2为其他实施例中，埋置于基板中的隔离结构其剖视图。

图3为实施例中，埋置于多层基板中的隔离结构其剖视图。

图4至图12为一些实施例中，具有隔离结构的半导体结构在多种工艺阶段中的系列剖视图。

图13为一些实施例中，图4-图12中用于有源装置的隔离结构的形成方法其流程图。

其中，附图标记说明如下：

100、200、300、400、500、600、700、800、900、1000、1100、1200 剖视图

101 外延堆叠

102、202、402 基板

104、204、304 隔离结构

104a、204a 水平部分

104b、204b 第一垂直部分

104c、204c 第二垂直部分

106 通道层

106a 第一部分

106b 第二部分

108 有源层

110a 第一接点

110b 第二接点

112 介电层

114 第一装置

116 第二装置

118 第一源极

120 第一栅极

122 第一漏极

124 第二源极

126 第二栅极

128 第二漏极

130 第一本体接点

132 第二本体接点

134 第一隔离注入区

136 第二隔离注入区